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英特尔宣称是唯一能大规模量产300毫米磷化铟硅光晶圆的代工厂，将硅光子称为下一代系统的“黄金锤”，可解决互连瓶颈，大幅降低单比特能耗。

英伟达定制NVHBM要求三星、美光、SK海力士在台积电3纳米节点制造基础芯片，三星首次放弃交钥匙模式，与台积电联手开发。

实测显示，液态金属与铝接触30分钟即严重腐蚀，铜散热器两年后性能下降，长期使用代价高，PTM7950或成更稳妥替代方案。

SK海力士子公司Solidigm聘请特朗普相识三十年的游说者布莱恩·巴拉德，以放宽美国对华设备出口限制，并筹备2027年纳斯达克IPO，引发韩国双重上市争议。

IBM宣布其0.7纳米纳米堆叠技术将于2027年Q1向芯片设计商提供PDK套件，可显著提升SRAM密度并降低功耗，或成AI芯片微缩新突破。

台积电2纳米工艺需求强劲，英伟达、AMD、苹果等巨头纷纷下单，产能目标有望提前至2026年实现，月产能或达12万片晶圆。

英特尔前CEO基辛格再次批评HBM是“丑陋的内存”，存在位密度低、热和海岸线带宽问题。同时南亚科技表示，因HBM挤压DRAM产能，DRAM短缺将持续至2028年初。

马斯克称中国产能扩张全球第一，但3D堆叠等下一代存储芯片或遇挑战。长鑫存储发布4F² DDR5，领先三星，SpaceX成为唯一异类。

英特尔CEO陈立武在新加坡表示，未来两到三年AI硬件将持续短缺，行业需证明投资回报以维持投资者兴趣，并看好量子计算三到五年内进入主流。