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瑞银分析师预测，AMD将因台积电产能瓶颈与英特尔达成代工协议，采用其EMIB-T封装技术。高盛则预计，未来三年英伟达数据中心机架出货量将保持AMD的7至10倍，AMD面临长期追赶压力。

台积电先进封装副总裁何军透露，CoWoS封装良率达98%至99%，应用于多款AI产品。公司计划到2029年将技术扩展至14倍光罩尺寸，并解决封装尺寸扩大带来的热力学挑战。

长江存储已跃升为全球第三大NAND闪存制造商，凭借22%的同比和5%的环比增长，占据14%的出货份额，超越铠侠。其武汉工厂月产能20万片晶圆，新厂投产后总产能将达40万片，直逼三星。

中国存储器新秀长鑫存储（CXMT）在DDR5内存芯片领域取得重大突破，其17纳米制程芯片良率已达90%，并向宏碁、华硕等厂商供货。苹果或为缓解短缺压力而采购其芯片。

三星计划在2030年量产1纳米芯片时引入高数值孔径EUV光刻机，但推迟至该节点使用。台积电同样考虑替代方案，高NA EUV商业化进程遇阻。

英伟达新一代Vera Rubin Ultra系统配置曝光，Kyber机架搭载340.4TB DRAM，其中HBM4E成本每GB高达19.76美元，单个机架总价约4160万美元，引发业界关注。

英特尔宣布发行新股募集约150亿美元，市场猜测此举或表明其14A工艺节点已获客户确认。公司目前现金充裕，此次融资可能用于支持代工业务扩张，但尚未正式公布客户信息。

英特尔近期动作密集，急于填补以色列Fab 38工厂的无尘室，并扩大产能。霍夫曼建筑公司已将2026年列为合同竣工年份，同时英特尔新发布基地总规划师岗位，表明其推进第二个无尘室建设。

英伟达Vera Rubin机架内存成本占比高达62%，较上代Grace Blackwell的53%显著提升，总成本增至2.5倍，凸显内存成为AI硬件主要成本。