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🚀 科技 :收录 4926 篇


骁龙8 Elite Extreme Gen 6陷过热争议,高通随即宣布裁员

2026年10月27日 |  预计阅读 2 分钟 |  758 个字
分类:科技

高通宣布裁员,CEO称旨在打造更强绩效文化。此前韩国媒体指控骁龙8 Elite Extreme Gen 6存在过热问题,两起事件时间相近引发外界关联猜测。
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骁龙8 Elite Extreme Gen 6陷过热争议,高通随即宣布裁员

马斯克放言星链移动两三年内全面运营,威瑞森CEO泼冷水:至少四到六年,耗资数千亿

2026年10月27日 |  预计阅读 4 分钟 |  1819 个字
分类:科技

威瑞森CEO在财报电话会议上驳斥SpaceX星链移动的野心,称其需自建地面网络,耗时四到六年,耗资3000亿至5000亿美元,且只能成为第六大运营商。马斯克则声称两到三年内全面运营。
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马斯克放言星链移动两三年内全面运营,威瑞森CEO泼冷水:至少四到六年,耗资数千亿

英伟达悄然下调Vera Rubin规格,HBM4带宽最高缩水26%

2026年10月26日 |  预计阅读 3 分钟 |  1410 个字
分类:科技

英伟达悄然修订Vera Rubin平台规格,HBM4带宽最高下调26%,NVLink带宽同步缩水,同时提升网络带宽,官方未作任何公开说明。
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英伟达悄然下调Vera Rubin规格,HBM4带宽最高缩水26%

英特尔CEO陈立武对话AMD苏姿丰,14A制程将推0.9 PDK

2026年10月26日 |  预计阅读 3 分钟 |  1306 个字
分类:科技

英特尔CEO陈立武透露与AMD苏姿丰探讨潜在合作,并宣布14A制程即将推出0.9 PDK,风险试产在即,同时强调夺回CPU领导地位的决心。
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英特尔CEO陈立武对话AMD苏姿丰,14A制程将推0.9 PDK

英伟达为Rubin Ultra寻求8层HBM4,散热良率成12层堆叠拦路虎

2026年10月26日 |  预计阅读 2 分钟 |  991 个字
分类:科技

英伟达与三星、SK海力士洽谈8层HBM4供应,因12层堆叠散热难、良率低,或影响Rubin Ultra GPU发布,8层方案预计2027年放量。
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英伟达为Rubin Ultra寻求8层HBM4,散热良率成12层堆叠拦路虎

英伟达AMD英特尔斥资50亿美元,台湾载板三巨头加速扩产抢单

2026年10月26日 |  预计阅读 2 分钟 |  786 个字
分类:科技

英伟达、AMD和英特尔据传向台湾载板制造商支付超50亿美元预订产能,以缓解AI芯片载板供应瓶颈,三大载板厂同步扩产。
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英伟达AMD英特尔斥资50亿美元,台湾载板三巨头加速扩产抢单

英特尔高管称性能略逊台积电无碍,High NA EUV成关键利器

2026年10月24日 |  预计阅读 3 分钟 |  1407 个字
分类:科技

英特尔副总裁奥思表示,背面供电技术让公司能直接使用High NA EUV光刻机,而台积电因缺乏该技术只能依赖双重曝光,成本更高。CTO拉纳德承认规模追赶缓慢,但强调执行力才是关键。
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英特尔高管称性能略逊台积电无碍,High NA EUV成关键利器

三星泰勒工厂2纳米产能再升级,2027年月产2万片晶圆

2026年10月23日 |  预计阅读 2 分钟 |  768 个字
分类:科技

三星电子计划将其位于得克萨斯州泰勒市工厂的2纳米产能扩大至每月6000片晶圆,并已追加设备订单。泰勒1号工厂预计今年年底投产,采用EUV设备生产2纳米芯片。。
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三星泰勒工厂2纳米产能再升级,2027年月产2万片晶圆

SK海力士iHBM内存芯片散热突破,热阻降低30%并洽谈量产

2026年10月22日 |  预计阅读 2 分钟 |  761 个字
分类:科技

SK海力士正就下一代iHBM内存芯片与供应链伙伴洽谈量产计划,该技术将冷却元件直接集成到封装内部,可将热阻降低多达30%,以改善HBM散热效果。
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SK海力士iHBM内存芯片散热突破,热阻降低30%并洽谈量产
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