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中国本土内存制造商正竞相生产HBM芯片，但长鑫存储（CXMT）在HBM3技术上遭遇瓶颈，量产推迟至2026年下半年。华为等AI芯片制造商面临供应压力，或需依赖外部解决方案。长电科技推出HBM3e封装设计，但缺乏制造能力。全球厂商已转向HBM4量产，中国HBM3延迟将影响本土AI市场发展。

尽管台积电计划在2026年投入560亿美元建设新设施并升级生产线，仍无法满足AI需求。公司预计短缺将持续到2027年后，并计划在全球多地建设3纳米芯片工厂，包括台湾、美国、日本等地，同时优化产能以支持客户。

高通首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙访问韩国，将与三星电子和SK海力士高管会面，商讨2nm工艺芯片代工及LPDDR内存供应，旨在确保人工智能和PC市场所需的芯片产能，缓解供应限制压力。

三星为下一代HBM开发的1d DRAM技术因良率未达目标，可能无限期推迟量产。该技术用于HBM5E，三星正重新审视工艺路线图以提高良率，并扩建韩国温阳工厂以加强竞争力。

DRAM内存短缺预计将持续至2027年，制造商产能仅能满足约60%需求。人工智能兴起加剧供应紧张，导致价格上涨，智能手机与个人电脑领域受影响严重。

2026年Q1全球PC出货量同比增长3.2%至6330万台。内存与SSD价格飙升引发厂商预防性采购，同时Windows 10停服推动硬件更新。联想、戴尔、苹果、华硕出货量均增长，仅惠普下滑。

英特尔14A工艺技术预计年底前将迎来英伟达、苹果、谷歌、AMD等大客户，其代工业务前景改善。14A PDK 1.0版本准备就绪后，客户将在秋季签署协议。

三星退出LPDDR4/4X业务，聚焦高端产品。中国长鑫存储与兆易创新合作，增产相关内存，填补市场空缺，并借此建立长期客户关系，挑战全球DRAM市场格局。

面对DRAM与NAND芯片短缺，长江存储与长鑫存储正进行史诗级产能扩张，月产能有望翻倍。供应紧张导致客户需预付货款排队等货，此举旨在满足国内需求并减少对外依赖。