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台积电加速扩建2纳米和3纳米生产线，计划2026年底将3纳米月产能提升至18万片，2纳米月产能提升至10万片，以应对人工智能芯片需求激增。供应紧张预计持续至2027年，同时为英特尔等竞争者打开机会窗口。

据报道，谷歌下一代AI芯片TPUv8e将采用英特尔14A工艺和EMIB先进封装技术，这是英特尔代工业务继特斯拉之后又一重大胜利。台积电负责TPUv8i和TPUv8t，而TPUv8e转向英特尔，预计2027年第四季度量产。

三星成功生产全球首款10纳米以下独立式DRAM模块，采用全新4F方形单元结构和垂直沟道晶体管技术，工艺节点突破至9.5-9.7纳米。新结构可将单元密度提升30%-50%，并采用IGZO新材料降低漏电。

美国NEO Semiconductor公司宣布3D X-DRAM项目取得概念验证成功，该技术采用类似3D NAND的架构，密度提升10倍，读写延迟小于10纳秒，数据保持时间超450秒，可作为HBM的替代方案。

一位苹果用户订购的Mac Mini被联邦快递放在公共区域遭窃。小偷在Facebook Marketplace出售时，图片暴露了序列号和车牌，被原主人和老板发现。警方接报后迅速破案，小偷与失主同住一栋楼。

三星管理层拒绝工会奖金要求，工会威胁5月21日至6月7日罢工18天。罢工可能导致全球内存产能瘫痪，恢复正常生产需36天，重创DRAM和eSSD产品，三星或损失200亿美元。

英特尔确认将使用14A制程技术进行内部芯片流片，此举旨在展现对自家技术的信心。特斯拉已成为14A客户，另有众多外部客户排队。首席执行官陈立武表示，晶圆供应受限促使他们更多利用14A制程，以掌控供应链。

三星员工通过集会和缺勤，成功扰乱内存工厂近五分之一产能和代工产线近五分之三产量，工会要求将年度利润的15%作为奖金，否则将从5月21日发动18天罢工，可能导致前所未有的混乱和财务影响。

英特尔2026财年第一季度营收指引超预期，股价大涨。代工业务18A节点良率领先预期，14A开发顺利。数据中心与AI业务增长强劲，CEO看好加速器和先进封装。智能体工作负载时代，CPU数量可能超越GPU，赋予英特尔竞争优势。