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AMD在IFA 2026开幕主题演讲中宣布重返舞台，高层杰克·胡英将分享AI个性化愿景。预计推出Ryzen AI MAX 400系列及FSR技术更新，展示高性能计算与AI融合的未来。

蔡司半导体CEO罗蒙德表示，中国在EUV技术上可能落后西方15年，但出口限制反而会加速其创新。他强调评估光刻设备需多维度考量，并认为对华限制措施可能产生反效果，希望务实主义能占上风。

英特尔14A芯片制造工艺在缺陷密度控制上进展显著，较18A工艺同期领先三至四个季度，有望提前至2028年第二季度实现商用，为代工业务注入强劲动力。

瑞银报告指出，中国EUV光刻技术发展水平相当于ASML 2004年阶段，预计十年内无法追平，但在DUV领域有望两至五年内赶上。

继三星员工成功争取奖金后，美光台湾桃园、台中工会调查显示80%成员支持罢工，要求改革奖金利润分享制度。美光回应称2026年奖金计划史上最高，但员工仍不满足，内存芯片行业盈利暴增下劳资矛盾激化。

AMD称采用混合键合技术的3D DRAM能效较传统HBM提升17倍，但热耐受性和制造工艺等挑战仍阻碍其商业化进程，业界关注其未来应用前景。

英特尔首席财务官称14A工艺改进速度创2012年以来最快，缺陷密度改善类似22纳米节点。该工艺计划2027年风险试产，2028年量产，首批产品设计已启动，被视为追赶台积电的关键。

随着AI对高带宽内存需求激增，三星将70%的内存产能预订给长期协议客户，包括微软、谷歌和英伟达。长期协议价格远低于现货价，HBM4内存转型加剧DRAM供应短缺，三星和SK海力士考虑扩大产能以满足市场需求。

长鑫存储将于九月启动LPDDR6内存量产，领先三星、SK海力士与美光。该内存专供小米18 Fold，但受限于美国制裁，产能或不足30万台，三大巨头可能迅速缩小差距。