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三星电子凭借HBM3E技术突破与英伟达达成合作，开始供应12层堆叠HBM3E内存，或将用于Blackwell Ultra处理器，这标志着其HBM业务重大进展。

SK海力士借美国国家烤棉花糖日，将HBM4内存制造工艺与烤棉花糖夹心饼干制作类比，通过趣味图示展示五步相似工艺，创新科普半导体技术。

英特尔前CEO巴雷特强调美国芯片自主需依赖英特尔，认为台积电三星无意在美部署最先进产线，建议政府促成英伟达苹果等投资英特尔，而非直接补贴。

通过CT扫描技术，专家解析英特尔386处理器内部结构，揭示其六层封装设计、精细键合线布局及电源层构造，展现1980年代芯片封装工程智慧。

日本Rapidus启动2纳米试产，计划2027年前大规模量产，获政府1.7万亿日元支持，若失败恐导致日本半导体技术优势流失。

中国官媒发文质疑英伟达H20芯片安全性，称其不环保且技术落后，建议国内企业转向国产替代品。

三星电子计划大幅增加在美投资至500亿美元，与特斯拉和苹果达成合作协议，建设2纳米产线，泰勒工厂将于10月投产，挑战台积电市场地位。

英特尔CEO陈立武计划与特朗普会面，解释其中国背景争议，包括被指控在华技术转移及军方关联投资，试图争取白宫支持。

OpenAI发布GPT-5引发争议，分析师指出AI聊天机器人商业模式存疑，与网飞模式对比凸显盈利困境，警告科技信贷利差扩大是泡沫破裂前兆。