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🚀 科技 :收录 4838 篇


追赶台积电三星,英特尔1.4A2工艺因21纳米互连被迫采用双面供电

2026年7月7日 |  预计阅读 2 分钟 |  925 个字
分类:科技

芯片巨头英特尔在1.4A2工艺上因21纳米互连间距缩小导致电压降问题,被迫采用正面与背面双面供电技术,以追赶台积电和三星的晶体管密度。
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追赶台积电三星,英特尔1.4A2工艺因21纳米互连被迫采用双面供电

三星Q2营收不及预期,投资者惊愕,半导体业务仍领跑

2026年7月7日 |  预计阅读 2 分钟 |  826 个字
分类:科技

三星2026年第二季度营收1117.6亿美元,低于市场预期,而营业利润584.3亿美元超出预期。半导体部门表现强劲,但移动业务亏损约6.53亿美元。
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三星Q2营收不及预期,投资者惊愕,半导体业务仍领跑

三星豪言2026年利润将超越过去四十年总和,内存价格持续飙升

2026年7月6日 |  预计阅读 2 分钟 |  809 个字
分类:科技

三星半导体部门总裁宣布,2026年公司利润将超过过去40年总和。受AI需求推动,DRAM价格持续上涨,三星预计第二季度利润达551亿美元,有望超越英伟达成为全球最赚钱企业。
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三星豪言2026年利润将超越过去四十年总和,内存价格持续飙升

苹果供应链新策略:长鑫存储研发键合DRAM,无需EUV设备

2026年7月6日 |  预计阅读 3 分钟 |  1082 个字
分类:科技

苹果正考虑将长鑫存储纳入DRAM供应链,以降低短缺风险。长鑫存储正在研发键合DRAM技术,使用旧款DUV设备实现高密度内存,有望引起苹果兴趣,但量产仍需时日。
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苹果供应链新策略:长鑫存储研发键合DRAM,无需EUV设备

AI吞噬DRAM产能,2027年廉价手机或消失,存储成本占比超六成

2026年7月5日 |  预计阅读 2 分钟 |  931 个字
分类:科技

行业观察人士警告,由于AI数据中心吞噬了超60%的DRAM产能,到2027年廉价手机市场可能面临黑暗前景。DRAM价格已飙升700%,手机制造商被迫涨价或停产低价机型。
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AI吞噬DRAM产能,2027年廉价手机或消失,存储成本占比超六成

华为Kirin 2026芯片采用3D堆叠技术,混合键合工艺突破光刻限制

2026年7月5日 |  预计阅读 2 分钟 |  825 个字
分类:科技

华为在最新论文中展示Kirin 2026芯片的3D堆叠设计,通过混合键合技术提升性能与能效,绕开先进光刻设备限制,为移动芯片创新开辟新路径。
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华为Kirin 2026芯片采用3D堆叠技术,混合键合工艺突破光刻限制

三星Exynos 2700将内存与芯片分离,散热性能翻倍提升

2026年7月4日 |  预计阅读 2 分钟 |  722 个字
分类:科技

三星Exynos 2700将采用全新封装设计,把DRAM模块与芯片分开放置以改善散热。这一改变有望带来更稳定的持续性能,类似苹果A20 Pro的设计思路。
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三星Exynos 2700将内存与芯片分离,散热性能翻倍提升

三星Q3存储芯片再涨20%,Q1已暴涨90%,Q2又涨50%

2026年7月4日 |  预计阅读 2 分钟 |  818 个字
分类:科技

三星在2026年第三季度对存储芯片提价超20%,此前Q1和Q2已分别涨价90%和50%-60%。SK海力士定价相对稳定,但整体DRAM价格仍面临上涨压力。瑞银预测DRAM和NAND价格将继续上涨。
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三星Q3存储芯片再涨20%,Q1已暴涨90%,Q2又涨50%

瑞银与集邦咨询看好内存市场,DRAM价格第三季度有望继续飙升

2026年7月4日 |  预计阅读 2 分钟 |  794 个字
分类:科技

瑞银集团预计DRAM价格在第三季度仍有充足上涨空间,报告称内存市场受限直至2028年第二季度。集邦咨询也指出DRAM市场将面临严重短缺。瑞银调高DDR价格预测,第三季度环比飙升32%。
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瑞银与集邦咨询看好内存市场,DRAM价格第三季度有望继续飙升
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菠萝老师先生  • © 2024-12-29 - 2026  •  锤刻创思寰宇网

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