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🚀 科技 :收录 4838 篇


高通2纳米芯片转投台积电,三星因价格分歧出局

2026年9月12日  |  预计阅读2  分钟  |  831 个字
分类: 科技

高通因DRAM危机和台积电2纳米制程成本压力,试图与三星合作降低芯片制造成本,但双方因价格分歧未能达成协议,三星2纳米良率虽已稳定,高通的备选方案或成泡影。
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高通2纳米芯片转投台积电,三星因价格分歧出局

台积电1.4纳米制程提前量产,2027年4月试产引领全球芯片新竞赛

2026年9月11日  |  预计阅读2  分钟  |  604 个字
分类: 科技

台积电1.4纳米制程有望2027年4月试产,较原计划提前一年,投资490亿美元在台中建四座工厂,以维持全球芯片代工领先地位。
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台积电1.4纳米制程提前量产,2027年4月试产引领全球芯片新竞赛

长鑫存储HBM芯片良率仅25%,百颗HBM3约八十颗未过终测

2026年9月10日  |  预计阅读2  分钟  |  795 个字
分类: 科技

长鑫存储HBM内存芯片因硅通孔与堆叠工艺难题,良率仅25%至30%,每百颗HBM3芯片约80颗无法通过最终测试,国产HBM突围面临严峻挑战。
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长鑫存储HBM芯片良率仅25%,百颗HBM3约八十颗未过终测

中芯国际二季度营收飙升20%,超越格芯跃居全球第三大晶圆代工厂

2026年9月10日  |  预计阅读2  分钟  |  766 个字
分类: 科技

集邦咨询数据显示,中芯国际第二季度营收增长20%,成为全球第三大晶圆代工厂,增速领先台积电和三星,市场份额升至5.4%。
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中芯国际二季度营收飙升20%,超越格芯跃居全球第三大晶圆代工厂

英特尔EMIB-T封装崛起,高数值孔径EUV领先三星台积电2至4年

2026年9月9日  |  预计阅读3  分钟  |  1021 个字
分类: 科技

英特尔EMIB-T先进封装产能迅速扩张,获瑞银看好,预计2028年可封装超200万片基板以满足联发科TPU需求。同时,其高数值孔径EUV技术已生产第100万片测试晶圆,领先三星和台积电2至4年。
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英特尔EMIB-T封装崛起,高数值孔径EUV领先三星台积电2至4年

长鑫存储确认与苹果合作,中国DRAM巨头加速挑战美光三星

2026年9月8日  |  预计阅读2  分钟  |  851 个字
分类: 科技

长鑫存储首次确认正与苹果洽谈合作,称以开放态度探索全球顶级客户。苹果借此在存储谈判中获得筹码,而长鑫存储产能与技术快速提升,有望2030年前超越美光。
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长鑫存储确认与苹果合作,中国DRAM巨头加速挑战美光三星

三星4纳米产能过半用于HBM4,高带宽内存需求激增引发产线满载

2026年9月8日  |  预计阅读2  分钟  |  780 个字
分类: 科技

随着高带宽内存需求超过供应,三星已将4纳米产能的50%以上用于制造HBM4基础芯片,产线满负荷运行,凸显其在AI内存领域的战略布局。
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三星4纳米产能过半用于HBM4,高带宽内存需求激增引发产线满载

中国芯片厂囤积阿斯麦光刻机,宇量昇年底前量产12台深紫外设备

2026年9月8日  |  预计阅读2  分钟  |  809 个字
分类: 科技

据《金融时报》报道,长鑫存储和长江存储已囤积阿斯麦深紫外光刻机,可满足未来三年扩张。宇量昇计划年底前制造12台深紫外光刻机,加速本土设备替代。
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中国芯片厂囤积阿斯麦光刻机,宇量昇年底前量产12台深紫外设备

北方华创突破3D DRAM蚀刻难题,助力中国芯片绕开EUV限制

2026年9月5日  |  预计阅读3  分钟  |  1229 个字
分类: 科技

中国半导体设备商北方华创研发出两步蚀刻工艺,用于制造3D DRAM芯片。该技术突破非EUV光刻的横向限制,实现64层结构均匀蚀刻,有望助力长鑫存储等中国企业绕开西方制裁,推动垂直制造发展。
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北方华创突破3D DRAM蚀刻难题,助力中国芯片绕开EUV限制
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