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高通因DRAM危机和台积电2纳米制程成本压力，试图与三星合作降低芯片制造成本，但双方因价格分歧未能达成协议，三星2纳米良率虽已稳定，高通的备选方案或成泡影。

台积电1.4纳米制程有望2027年4月试产，较原计划提前一年，投资490亿美元在台中建四座工厂，以维持全球芯片代工领先地位。

长鑫存储HBM内存芯片因硅通孔与堆叠工艺难题，良率仅25%至30%，每百颗HBM3芯片约80颗无法通过最终测试，国产HBM突围面临严峻挑战。

集邦咨询数据显示，中芯国际第二季度营收增长20%，成为全球第三大晶圆代工厂，增速领先台积电和三星，市场份额升至5.4%。

英特尔EMIB-T先进封装产能迅速扩张，获瑞银看好，预计2028年可封装超200万片基板以满足联发科TPU需求。同时，其高数值孔径EUV技术已生产第100万片测试晶圆，领先三星和台积电2至4年。

长鑫存储首次确认正与苹果洽谈合作，称以开放态度探索全球顶级客户。苹果借此在存储谈判中获得筹码，而长鑫存储产能与技术快速提升，有望2030年前超越美光。

随着高带宽内存需求超过供应，三星已将4纳米产能的50%以上用于制造HBM4基础芯片，产线满负荷运行，凸显其在AI内存领域的战略布局。

据《金融时报》报道，长鑫存储和长江存储已囤积阿斯麦深紫外光刻机，可满足未来三年扩张。宇量昇计划年底前制造12台深紫外光刻机，加速本土设备替代。

中国半导体设备商北方华创研发出两步蚀刻工艺，用于制造3D DRAM芯片。该技术突破非EUV光刻的横向限制，实现64层结构均匀蚀刻，有望助力长鑫存储等中国企业绕开西方制裁，推动垂直制造发展。