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SK海力士财报显示，由于过度依赖AI用HBM，第二季度营收和营业利润双双低于市场预期，分别相差5.4%和5.9%。公司正试图重新转向消费级DRAM，并计划在HBM5中集成散热元件。

SK海力士计划2026年下半年量产LPDDR6内存，小米将为首批客户。此举旨在以技术优势抢占中国市场，削弱长鑫存储的地位，并可能吸引OPPO、Vivo等品牌。

芯动科技宣布其LPDDR6内存IP被一家韩国主要DRAM制造商采用，并展示了从LPDDR6到HBM4、GDDR7及PCIe 6.0的全系列内存与存储方案，旨在打破AI和HPC领域的内存瓶颈。

英特尔完成RAMP-C计划，帮助客户从测试芯片过渡到美国本土高量产制造。该计划成功开发了设计赋能基础设施，使商业及国防客户能在美国境内设计和制造芯片，巩固了英特尔作为美国唯一领先级芯片制造商的地位。

中国自主研发的深紫外（DUV）光刻机引发关注，但路透社报道指出，该设备仍处于测试阶段，短期内无法对荷兰芯片设备巨头阿斯麦构成竞争威胁。

英特尔提交SEC文件显示，第二季度服务器CPU价格同比上涨48%，主要得益于高端产品销量占比提升。数据中心营收达63亿美元，同比增长59%，创下15年来最快增速。格兰尼特急流需求紧张。

楷登电子宣布其AI驱动数字与定制参考流程及解决方案通过英特尔18A-P和14A工艺认证，为AI、高性能计算和移动芯片设计提供可签核路径，强化英特尔代工生态系统。

谷歌计划推出“Frozen V2”TPU芯片，通过将SRAM直接硬接线到硅片上来提升性能，并消除对台积电CoWoS等独立封装技术的依赖。该芯片专为Gemini AI模型定制，预计2028年量产，可能由美满电子代工。

长鑫存储IPO后获优先供货国产DUV光刻机，今年5台明年20台。此举削弱美国《匹配法案》，增强抗风险能力，推动其3D DRAM计划。公司股价暴涨500%，计划扩产至每月60万片晶圆，有望2030年超越美光。