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SK海力士在HBM内存业务获创纪录营收后，计划重返通用DDR5内存市场，应对通用DRAM日益严重的短缺问题，以获取额外利润。

台积电据报将全面提高制程价格，包括7纳米等成熟节点，涨幅5%到10%，旨在应对内存芯片厂商涨价潮，客户对此感到意外。

2026年第二季度，中国消费级DRAM市场价格暴涨，DDR4涨幅达50%，LPDDR内存因供应短缺涨幅高达89%。存储领域同样面临严峻挑战，SSD和NAND闪存价格大幅上涨。

三星计划通过键合两块NAND单元打造900至1000层以上固态硬盘，以应对市场对高容量存储的强劲需求。该技术处于原型阶段，目标2030年推出1000层V-NAND，未来可将8TB SSD扩展至32TB。

AI与HPC需求驱动下，面板级封装（FOPLP）和玻璃基板技术将取代传统有机基板，预计2030年市场规模超80亿美元，台积电、英特尔等巨头加速研发。

近期传闻称谷歌考虑从中国长鑫存储采购DRAM芯片，但分析师郭明錤明确表示谷歌并无具体采购计划。原始信源SouthernValue则强调其消息来源的可靠性，双方各执一词。此举涉及地缘政治与AI芯片市场变化。

JEDEC批准的新标准SPHBM4旨在通过减少信号引脚和使用标准封装，降低HBM的高成本与封装难题，同时保持接近HBM4的性能，有望缓解AI和HPC领域的供应短缺。

特斯拉正与中国台湾供应商合作，为Optimus人形机器人量产做准备。盟立自动化提供关键组件，亚洲光学负责“眼睛”部分，量产预计在加州和得州进行。

面对AI算力需求激增带来的内存瓶颈，闪迪提出在计算芯片下方3D堆叠NAND闪存的专利方案，结合HBM与高带宽闪存优势，意图解决容量、速度和成本的综合挑战。