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英伟达新一代Vera Rubin Ultra系统配置曝光，Kyber机架搭载340.4TB DRAM，其中HBM4E成本每GB高达19.76美元，单个机架总价约4160万美元，引发业界关注。

英特尔宣布发行新股募集约150亿美元，市场猜测此举或表明其14A工艺节点已获客户确认。公司目前现金充裕，此次融资可能用于支持代工业务扩张，但尚未正式公布客户信息。

英特尔近期动作密集，急于填补以色列Fab 38工厂的无尘室，并扩大产能。霍夫曼建筑公司已将2026年列为合同竣工年份，同时英特尔新发布基地总规划师岗位，表明其推进第二个无尘室建设。

英伟达Vera Rubin机架内存成本占比高达62%，较上代Grace Blackwell的53%显著提升，总成本增至2.5倍，凸显内存成为AI硬件主要成本。

据DigiTimes报道，三星电子HBM4内存良率已接近80%，达到行业黄金良率。该产品二月量产时良率不足60%，半年内提前完成目标。三星计划提升HBM4在HBM产品中的占比，并已获AMD采用，有望挑战SK海力士在AI DRAM领域的主导地位。

苹果为应对DRAM短缺测试长鑫存储内存，但长鑫存储生产难题和定价策略使合作受限，即便获批采购，也难以大规模供应，苹果或继续依赖三星、SK海力士等传统供应商。

台积电1.4nm工艺用地问题曾因土地所有者抗议受阻，现经沟通已成功取得足够土地。扩建区域增至104.19公顷，试产预计2027年下半年启动，苹果计划于2028年推出首款1.4nm芯片。

三星、SK海力士和美光通过380亿美元预付款锁定DRAM供应至2030年，但分析指出，这一商业模式保护期有限，2029年可能成为议价筹码耗尽的关键节点。

台积电与阳明交大合作，在二维单层晶体管领域取得关键突破。通过缓冲层与氧化铪栅极介电层技术，实现0.42纳米等效氧化层厚度，有效控制电流，为超越1纳米制程铺平道路。