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闪迪投资者日演示遭科技圈批评，被指HBM规格低估、忽略HBF写耐久度问题。HBF是闪迪与SK海力士合作开发的新型高带宽闪存，目标2028/2029年商用。然而演示中未提及写入耐久度，可能影响KV缓存应用，引发行业担忧。

三星正考虑改造在建研发设施的一条产线，用于生产HBM存储芯片的基底逻辑晶片，该产线可能采用先进的2纳米制程，为NVIDIA的AI芯片提供基片。此举有望提升HBM芯片性能，但计划仍存变数。

英特尔CEO陈立武暗示将重返内存市场，称内存已非大宗商品，而是蕴含巨大创新潜力。公司正研发XBM和ZAM新技术，并聘请SK海力士前CEO李锡熙，计划以创新型DRAM技术重返市场，应对AI需求激增带来的内存短缺。

英伟达A100 GPU虽已上市六年，但仍被CoreWeave租赁至2029年，展现老芯片在AI领域的长久价值。CUDA的持续优化让旧硬件保持生产力，成为高性价比之选。

瑞银分析师预测，AMD将因台积电产能瓶颈与英特尔达成代工协议，采用其EMIB-T封装技术。高盛则预计，未来三年英伟达数据中心机架出货量将保持AMD的7至10倍，AMD面临长期追赶压力。

台积电先进封装副总裁何军透露，CoWoS封装良率达98%至99%，应用于多款AI产品。公司计划到2029年将技术扩展至14倍光罩尺寸，并解决封装尺寸扩大带来的热力学挑战。

长江存储已跃升为全球第三大NAND闪存制造商，凭借22%的同比和5%的环比增长，占据14%的出货份额，超越铠侠。其武汉工厂月产能20万片晶圆，新厂投产后总产能将达40万片，直逼三星。

中国存储器新秀长鑫存储（CXMT）在DDR5内存芯片领域取得重大突破，其17纳米制程芯片良率已达90%，并向宏碁、华硕等厂商供货。苹果或为缓解短缺压力而采购其芯片。

三星计划在2030年量产1纳米芯片时引入高数值孔径EUV光刻机，但推迟至该节点使用。台积电同样考虑替代方案，高NA EUV商业化进程遇阻。