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在2026年SAFE论坛上，三星宣布1.4nm工艺进展顺利并推出改进版1.4nm+，计划2030年量产。同时更新2nm路线图，通过半导体设计与工艺集成优化技术提升良率。

继六氟化钨短缺后，半导体行业再遇二氧化碳供应危机。韩国炼油厂减产及中东原油不确定性导致高纯度CO2短缺，三星与SK海力士库存告急，或影响先进封装芯片生产，推高全球科技成本。

美光等内存巨头因DRAM短缺面临集体诉讼。美光向特朗普账户投资2.5亿美元，以换取政府支持并避免法律纠纷，此举被认为是在效仿苹果的务实策略。

三星电子与SK海力士宣布一项超过1,350万亿韩元（约8,700亿美元）的10年扩张计划，旨在韩国发展AI和芯片制造，与台积电、英特尔竞争，并在五年内将内存产量翻倍。

苹果正积极游说美国政府，试图将中国内存巨头长鑫存储和长江存储纳入其面向中国市场的供应链，以应对内存价格飙升。然而，此举可能面临多方阻力，且美国消费者将无法从中受益。

特斯拉Terafab项目聘请了英特尔资深人士蒋盖瑞担任总监，他拥有18年芯片制造经验。该项目预计耗资550亿至1190亿美元，旨在满足马斯克旗下公司的AI和机器人芯片需求，并将于加州和得州建设。

AMD发布首款采用封装内内存方案的SoC Versal Gen 2，集成LPDDR5X内存，带宽达288 GB/s，电路板面积减少60%，计算性能提升10倍，支持PCIe 6.0和CXL 3.1，将于2026年底提供样品。

英特尔在硅谷圣克拉拉为新的制造设施举行奠基仪式，扩建面积达10.7万平方英尺，预计2026年中开工，将强化EUV光罩生产，助力18A-P和14A等先进制程，巩固其代工业务及美国制造承诺。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在访谈中指责苹果压低存储芯片价格，称2023年内存价格仅为原价三分之一，导致毛利率暴跌。如今AI热潮使美光股价飙升，但苹果等客户面临高达292%的存储溢价。