🚀 科技：收录 4809 篇

三星计划2029年大规模生产混合键合HBM内存，为英伟达Feynman AI芯片定制。该技术去除DRAM层微型凸点，提升性能，预计用于HBM5或定制型号。

韩国存储巨头SK海力士近日否认了有关其将收购英特尔在俄亥俄州的存储制造设施的报道。该公司表示，虽然一直在审查各种收购机会，但并未推进或决定收购英特尔的俄亥俄州设施。

SK海力士CEO郭鲁正警告，2027年内存行业将面临史上最严峻的供应危机，HBM消耗半数晶圆产能，非HBM DRAM供不应求，三星和SK海力士的新工厂投产也难解困境。

据集邦咨询报告，NAND闪存短缺将在2027年下半年缓解，因供应商升级产线扩大产能。AI需求持续但消费电子疲软，DRAM短缺或持续十年。

全球三大内存巨头三星、美光和SK海力士放弃为CXL技术开发定制控制器，因服务器客户不愿支付高溢价。它们将回归标准DIMM插槽，确保营收稳定。

台积电首席财务官黄仁昭表示，美国晶圆厂建设成本是台湾的4到5倍，但公司看到美国客户强劲需求，决定追加1000亿美元投资，在亚利桑那州新建四座设施，预计3纳米工厂2027年下半年运营。

三星电子美国业务正经历动荡，为将总部迁至得克萨斯州，已裁减新泽西州739个职位。与此同时，内存部门利润丰厚，员工今年人均奖金有望达6亿韩元，而移动部门预计将出现史上首次营业亏损，代工部门超八成员工有离职意愿。

威刚董事长陈立白表示，AI泡沫谈论为时过早，DRAM短缺将持续10年，即使扩大产能也无法满足需求，2030年后再讨论泡沫较为合适。

英伟达AI GPU面临海量数据瓶颈，三星V10 NAND量产用于下一代CMX存储，可消除上下文限制，但导致供应短缺，其他公司和消费者将承受高价和缺货的冲击。