据最新消息，台积电（TSMC）不仅受命为英伟达（NVIDIA）量产NVHBM基础芯片，据传这家GPU厂商还要求台积电开始生产3D DRAM。台积电很快对此作出回应，否认有任何量产3D DRAM的计划，选择专注于逻辑芯片制造。
三星（Samsung）在开发HBM核心芯片和基础芯片时通常采用“交钥匙”模式，但据最新报道，英伟达定制的NVHBM需要一种更为精简的制造方式，涉及三星和台积电两家公司。两家企业似乎已联手在3纳米节点上开发基础芯片，最终目标是打造一款标准化产品，从而减少质量验证环节。
美光（Micron）和SK海力士（SK hynix）也加入了三星的行列，以实现同一目标，因为英伟达希望通过采用统一的制造工艺来获得一致的性能表现。
由于有消息称费曼GPU（Feynman GPU）将采用定制HBM，英伟达还承诺其自研方案的内存带宽可比标准HBM4E高出最多30%，同时功耗降低最多15%。然而，要实现这些优势，英伟达必须确保各内存厂商之间的标准化，这正是这家GPU厂商据传要求三星、美光和SK海力士在台积电3纳米节点上制造NVHBM基础芯片的原因。
此外，核心芯片需要依赖第六代DRAM工艺，即1c。推动所有内存巨头采用单一制造工艺的动机，是确保成品性能的一致性。由于基础芯片仅采用台积电3纳米工艺，英伟达无需逐一验证各供应商的样品，从而在这一不必要的负担上节省了宝贵的时间和资源。
据最新报道，三星已接受这一要求，这也是这家韩国巨头首次放弃“交钥匙”模式。不过，该公司仍在评估自家代工厂，以防NVHBM需求超出台积电的产能。标准HBM的核心芯片和基础芯片开发仍将由三星负责，鉴于该方案带来的巨大需求，三星并不介意与台积电结成临时联盟。
HBM也是三星减少代工亏损的救命稻草。此前有估算称，这家韩国巨头的亏损在一年内缩减了41%，从2025年的6.74万亿韩元（约合51亿美元）降至2026年的3.92万亿韩元（约合29.5亿美元）。
