英特尔（Intel）前首席执行官帕特·基辛格（Patrick Gelsinger）公开表态支持存储芯片设计公司Nagare Labs及其Z2RAM技术。基辛格在接受The Register采访时谈了自己对这家公司的看法，他表示，该公司将SRAM、DRAM和闪存的优势集于一身，有望在密度、速度和功耗方面成为HBM内存的潜在竞争对手。Z2RAM的亮点之一是被直接集成在逻辑芯片上，从而缩短了数据传输距离。
基辛格看好Z2RAM的密度、速度与功耗优势
基辛格提到的这三类主流存储器在计算系统中各司其职。先说DRAM，它也是当前AI芯片所用高带宽内存（HBM）的基础，充当CPU或GPU的主内存，负责存储即将传给处理器的数据。
数据离开DRAM后进入SRAM，后者紧挨GPU或CPU裸片放置，充当缓存，数据在进入处理芯片前先加载到这里。最后是NAND闪存芯片，属于存储设备，数据在被载入DRAM之前就存放在这里。
在制造层面，DRAM和NAND的微缩仍在持续推进，而SRAM的微缩却因多重因素遭遇瓶颈。一大主因是SRAM单元设计——它由六个晶体管构成。继续缩小这些晶体管会带来漏电流和材料杂质问题，IBM的0.7纳米工艺等技术正试图解决这一难题。
另一方面，NAND微缩进展顺利，得益于每颗芯片堆叠超过300层，既节省了芯片的横向面积，又提升了性能。在这一方向上，Nagare Labs的Z2RAM力图两全其美。它被设计为直接集成在逻辑裸片上，以获得SRAM的高速、低延迟优势。同样，这种内存采用垂直堆叠，既节省横向表面积，也为SRAM微缩瓶颈提供了替代方案——这一瓶颈最终会影响AI芯片的面积。
Z2RAM力图在不受微缩限制的前提下复刻SRAM的裸片集成优势
这些优势显然引起了英特尔前首席执行官帕特·基辛格的注意。他在接受The Register采访时表示，Nagare“将DRAM、SRAM和闪存的最佳特性融合到一种新器件中，既有DRAM般的密度，又有SRAM般的速度，还有闪存般的可微缩性。”
Z2RAM去掉了传统1晶体管-1电容（1T1C）存储设计中的电容，转而依靠两个晶体管。据Nagare联合创始人苏曼·达塔（Suman Datta）介绍，它利用“第二个晶体管的栅极电容来存储电荷”。达塔同时是佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）的教授和研究员。
与基辛格有关联的投资公司Playground Global正在投资Nagare。基辛格对该技术相当乐观，甚至将其与HBM相提并论。他说：“HBM虽然有不少局限（功耗、密度、岸线带宽），但其密度与性能的组合是当下最优的。这正是Z2RAM带来的价值——更好的密度、速度和功耗。”
