台积电（TSMC）似乎已准备好在2028年上半年启动其A14制程节点的量产，并将与英特尔（Intel）的14A制程展开正面交锋。台积电A14蓄势待发，欲与英特尔14A节点上演一场精彩对决，瞄准2028年量产。
据DigiTimes报道，台积电的A14制程节点将于2028年上半年进入量产阶段。此前，风险试产计划于2027年下半年进行。台积电新竹科学园区宝山厂Fab 20与中部科学园区Fab 25将主要负责A14技术的生产。
更值得注意的是，DigiTimes指出，在2028年同年，台积电A14的产能将达到英特尔14A的7.5倍。无论是台积电A14还是英特尔14A，都将是各自公司举足轻重的关键制程技术。
台积电A14将被苹果（Apple）等长期芯片合作伙伴采用，而英特尔14A则将迎来一批客户。其中，特斯拉（Tesla）是其中之一，苹果、英伟达（NVIDIA）、亚马逊（Amazon）和谷歌（Google）也被视为潜在客户，各芯片制造商正竞相为下一代人工智能产品锁定供应。
最近，ETNews爆料称，台积电计划八年来首次扩大SRAM位单元尺寸。A14制程技术将成为将位单元从0.021µm²缩小至0.017µm²的节点。
台积电将在年底前公布研究成果，确认实现全球最小SRAM单元尺寸——小于0.017µm²，以及最高水平的SRAM宏密度。基于这些披露的标准，台积电A14将在单元尺寸方面领先于英特尔和三星电子（Samsung Electronics）。
自台积电的N5（5纳米）制程以来，该公司一直未缩小SRAM单元尺寸，但借助A14，我们将看到全球最小SRAM单元尺寸与最高SRAM密度的最终定型。
台积电在2纳米CMOS纳米片技术中推出了38.1Mb/mm²的SRAM，面向高密度、高能效计算应用。该设计采用0.021µm²高密度位单元，并通过DTCO技术将整体SRAM密度较上一代技术节点提升1.1倍。
英特尔18A目前正处于量产阶段，提供0.021µm²的高密度单元，密度高达38.1Mb/mm²。这与台积电的2纳米级节点相近，但单元面积大于台积电正在研发的A14节点。
台积电A14制程节点将在相同功耗下带来15%的速度提升，这意味着能效最高可提升30%。该公司计划采用第二代GAAFET纳米片晶体管和全新的NanoFlex Pro标准单元架构，使密度相较N2提升最多20%。
据报道，该公司已开始1.4纳米（A14）芯片的试产，并已获得新制造设施的批准，用于扩大该节点的产能。Cadence上月锁定了台积电A14工具认证，标志着重大突破，将使芯片制造商的设计迭代时间缩短至原来的2.5倍。
