三星在最新财报电话会议上表示，内存短缺将在2027年进一步加剧，供应紧张局面将延续至2028年。三星已售罄2027年全部HBM产能，明年内存短缺将进一步恶化。
在2026年第三季度财报电话会议上，三星宣布实现创纪录的195.3万亿韩元（约1463亿美元）营收，环比增长14%，同比增长127%。该公司还成为全球首家营业利润突破100万亿韩元的科技企业，环比增长20%，较2025年同期增长783%。
这家领先的内存制造商持续加大研发投入，目前研发支出达14.4万亿韩元，同比增长63%。这些投资将用于扩充产能、储备下一代技术以及建设新的生产基地。在所有业务板块中，三星DS部门以15%的营收增长和72%的营业利润增长领跑，这得益于HBM、DRAM和SSD的强劲需求。
在内存业务方面，三星表示其2027年的HBM4供应已被全部预订售罄。此外，下一代HBM4E技术计划于2027年上半年量产，而HBM4的生产仍在持续爬坡。同时，三星的DDR5技术（如8000 MT/s及以上规格产品）也需求旺盛。在NAND方面，三星正加快推进面向AI的专用产品，如PCIe Gen6服务器SSD、eSSD、高密度QLC SSD等。
“首先，在DRAM方面，我们将依托技术领先优势扩大HBM4的销售，同时计划于明年上半年启动HBM4E量产，并在下半年推进大规模量产。此外，我们将积极回应服务器市场对8000 Mbps及以上高速DDR5的需求，持续引领高端产品市场。在NAND方面，我们将继续强化产品组合，聚焦PCIe Gen6服务器SSD、高密度QLC SSD等AI相关产品。”——三星内存全球销售与营销执行副总裁金在俊（Jaejune Kim）
在晶圆代工方面，三星预计其2nm制程2026年的订单量将较上年增长一倍以上，而AI需求的持续增长将进一步推高2nm/4nm制程的营收。其中，4nm将成为主要驱动力，该制程已被美国主要AI客户采用，同时面向主要2nm客户的量产也计划于今年下半年启动。
“我们将强化先进封装竞争力，包括开发3D堆叠技术。”——三星晶圆代工业务执行副总裁姜锡采（Sukchae Kang）
在供应方面，三星表示预计紧张局面将持续至2028年，尽管三星已上调资本支出，但公司认为这不会推动位元产量增长。
“随着HBM4E和HBM5逐步放量并成为核心产品，其芯片面积将比前几代更大，金属工艺层数也将显著增加。在位元产量从传统DRAM向HBM持续转移的背景下，我认为这将对供应形成物理性制约。”——三星内存全球销售与营销执行副总裁金在俊
三星还确认，已与10家大客户签署长期协议，寻求更大量长期内存供应的客户数量也在不断增加。这些长期协议将占公司总产能的60%至70%，客户群体正从超大规模云服务商扩展至移动、汽车和网络领域。
三星已将AI内存热潮转化为历史性的利润里程碑，需求之强劲使其2027年的HBM供应早已售罄。这一业绩既凸显了公司的技术领先地位，也印证了当前半导体上行周期的持久性，尽管移动业务面临成本压力。随着投资者对这一前景给予认可、股价逼近年内高点，三星迈入2027年时已处于有利位置，有望延续创纪录的表现。
