半导体制造巨头三星（Samsung）计划将其位于得克萨斯州泰勒市工厂的2纳米产能扩大至每月6,000片晶圆。三星的泰勒厂区是该企业在美国建立芯片生产布局的重要一环，其首座工厂“泰勒1号”预计将于今年年底投产。
三星追加设备订单，扩大得州泰勒工厂2纳米产能
与台积电（TSMC）不同——台积电的亚利桑那州工厂目标是在明年年底实现3纳米生产、在本十年末实现2纳米生产——三星计划在2026年年底前让泰勒1号晶圆厂投产。该晶圆厂将采用先进的极紫外（EUV）芯片制造设备，生产2纳米芯片。
2纳米芯片是当前行业最前沿的技术。三星、台积电和英特尔（Intel）均能生产该技术芯片，其中台积电在市场份额方面位居全球第一。
三星和台积电的2纳米产品均采用与彼此及前代产品不同的晶体管设计。两家公司都依赖一种名为全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）的技术，而三星将其技术称为多桥通道场效应晶体管（MBCFET），该技术采用纳米片而非纳米线作为沟道材料，由栅极包裹以控制电流。
三星晶圆代工部门的示意图展示了晶体管从FinFET到GAAFET再到MBCFET的演进过程。这家韩国企业的3纳米工艺将采用GAAFET晶体管，该技术由其与国际商业机器公司（IBM）合作开发。
ZDNET韩国的一篇报道称，三星有意扩大泰勒工厂的2纳米产能。据细节显示，该公司已下达设备订单，使其能够在该厂区利用先进芯片生产技术实现每月6,000片晶圆的产能。
该设施预计将于今年年底投产，报道还补充称，到2027年下半年，泰勒厂区应能实现每月20,000片晶圆的产能。此次6,000片2纳米晶圆的最新订单，是在三星此前旨在实现每月10,000片晶圆产能的采购基础上追加的。
ZDNET的消息人士认为，通过这项最新投资，在计入三星的试产产能后，泰勒厂区应能达到每月20,000片晶圆的最大产能。
