韩国存储芯片巨头SK海力士（SK hynix）是最早量产高带宽内存（HBM）的企业之一。据报道，该公司正就下一代HBM内存——iHBM，与供应链合作伙伴展开磋商。HBM内存芯片将多层DRAM堆叠在彼此之上，并置于一个基础裸片之上，由此带来散热难题，因为散热器或液冷装置只能安装在堆叠结构的最顶端。为克服这些限制，SK海力士将冷却元件直接集成到HBM封装内部，以改善散热效果。
SK海力士据悉就iHBM内存芯片与业界伙伴展开洽谈
HBM芯片的制造方式是将DRAM模块逐层堆叠。这些叠层位于一个基础裸片之上，该裸片与硅中介层相连，从而使HBM能够与GPU芯片并排布置。中介层又与封装基板相连，封装基板再连接到印刷电路板，由后者负责将整个封装与计算机系统连通。
在HBM DRAM堆叠内部，DRAM层产生的热量往往需要同时向上和向下传导。封装顶部安装有散热片和冷板，而底部的基板则将热量传递给系统散热器。如今，韩国媒体ETNews的一篇报道称，SK海力士已在下一代iHBM内存芯片设计上取得进展。报道细节显示，这家存储芯片公司正与国内外材料和设备供应商讨论生产计划，讨论内容包括iHBM的量产方案及其应用，以减少HBM内存的发热问题。
具体而言，报道援引的消息源指出，这家韩国公司有意推进iHBM技术的量产和商业化。为克服HBM堆叠传统的散热局限——热量常常积聚在堆叠中部——iHBM将在裸片间物理层（D2D PHY）中布置名为“集成冷却元件”（ICE）的散热结构，可将热阻降低多达30%。
尽管该公司目前专注于制造HBM4内存芯片，但SK海力士的计划确实包括在下一代HBM5芯片上应用iHBM技术。ETNews的消息源认为，由于SK海力士的批量回流模制底部填充（MR-MUF）技术将用于iHBM技术，其供应链的建立应与此前的合作企业群体类似。
