据Trendforce与Counterpoint Research的调研，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）到2028年有望将存储产能翻倍。此轮扩张的背景是，由于对高带宽内存（HBM）芯片需求旺盛，而这类芯片依赖层层堆叠的DRAM模块，DRAM行业持续面临供应短缺。最新研究显示，上周刚在媒体上引发轰动的长鑫存储，到2028年底月产能有望达到60万片晶圆。
研究报告称长鑫存储将在通用DRAM市场扮演关键角色
由于AI芯片需要HBM内存，大型存储芯片厂商三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）都将注意力集中在这类芯片上。HBM芯片不仅需要层层堆叠的DRAM模块，其制造工艺也相当复杂，需要借助额外技术将各模块键合在一起，同时不能牺牲性能或功能。
因此，由于独立DRAM芯片更易制造，长鑫存储将重心放在DRAM芯片制造上。就此而言，Counterpoint Research和Trendforce的数据显示，长鑫存储的DRAM产能2027年有望扩大31%，2028年扩大87.5%。
这一扩张的核心将是北京规划新建的一座工厂等设施。8月浮出的一份报告显示，该公司还在为其生产设施寻求政府支持。
具体来看，长鑫存储目前月产DRAM晶圆32万片。在此基础上，该公司预计将提升至42万片，仅一年时间就为旗下工厂新增逾10万片产能。到2028年，月产量预计将进一步增至60万片，增幅达87.5%。
报告还称，长鑫存储的产能扩张将面向通用DRAM市场，该市场主要服务于消费电子行业。全球内存短缺与价格高企的最大受害者之一便是消费电子巨头苹果（Apple），外界普遍认为苹果有意向长鑫存储采购内存芯片，以满足其产品在中国市场的需求。
在此基础上，甚至有报道称，长鑫存储在内存价格上对苹果态度强硬。据报道，苹果曾要求给予折扣，但长鑫存储拒绝了这一要求，反而报出了与三星等内存巨头相当甚至更高的价格。
