英特尔（Intel）首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）认为，在芯片制造实力方面，中国并不明显落后于美国。这位CEO在接受《日经亚洲》（Nikkei Asia）采访时发表了上述言论，其间还谈到了英特尔的重组努力，以及打造一家能与全球最大芯片代工商台积电（TSMC）比肩的代工业务的尝试。
英特尔CEO陈立武断言代工业务能够成为增长引擎，但强调要耐心把事做对。在芯片制造技术方面，中美之间的关系备受关注。多位知名人士，包括埃隆·马斯克（Elon Musk）和蔡司（Zeiss）半导体业务负责人，都就此发表过看法。马斯克甚至声称，中国最快两到三年就能突破制造限制。
另一方面，蔡司半导体业务CEO认为，在最先进的极紫外芯片制造技术方面，落后15年是合理的。如今，业内经验最丰富的高管之一、英特尔CEO陈立武也分享了他对此事的看法。陈立武被问及，在美国制裁导致中国企业无法获得最新EUV设备的情况下，中美半导体产业格局如何。
对此，这位英特尔CEO指出，所有公司，无论来自中国还是美国，都各有长短。他继续强调客户需求对任何公司都至关重要，并补充说，对企业、对客户最出色的产品，最终将决定谁能胜出。
随后，陈立武被问及中国能否在五到十年内在先进芯片制造方面追上美国。由于限制措施使中国无法采购EUV光刻机，中国无法像台积电和英特尔制造的芯片那样缩小芯片电路，以提升性能和能效。
陈立武的回答相当简短，他只是评论道：“今天，我认为差距并没有那么大。”
中国公司朗道的EUV光源号称拥有100小时运行时间，或成关键突破。陈立武发表最新看法前不久，中国朗道刚刚发布了其首台EUV光源原型机。该光源号称运行时间达100小时，输出功率为15瓦。阿斯麦（ASML）首台具备高量产能力（HVM）的EUV光刻机是NXE：3400B，出厂时配备150瓦光源，并可升级至250瓦。
250瓦这个数字很重要，因为它使这些机器能够在成本和规模上与DUV浸没式光刻系统竞争。然而，正如一位半导体业内人士所指出的，真正令人印象深刻的关键点是运行时间。
由于EUV光源需要每秒用二氧化碳气体轰击锡液滴十万次，要让它连续运行24小时极其复杂，以至于阿斯麦重新定义了EUV光刻扫描仪的运行时间，将光源运行时间排除在外。
