三星（Samsung）在开发HBM核心芯片与基础芯片时，一贯采用“交钥匙”模式，但据最新报道，英伟达（NVIDIA）的定制NVHBM需要一种更为精简的制造方式，且涉及三星与台积电（TSMC）的协作。两家公司似乎已联手在3纳米节点上开发基础芯片，最终目标是打造一款标准化产品，从而减少质量验证环节。
美光（Micron）与SK海力士（SK hynix）也已加入三星的行列，共同推进这一目标，因为英伟达希望通过采用统一的制造工艺来获得一致的性能表现。
据悉，费曼（Feynman）GPU将采用定制HBM，英伟达还承诺，其自研方案的内存带宽可比标准HBM4E高出最多30%，同时功耗降低最多15%。然而，要实现这些优势，英伟达必须确保各内存厂商之间的标准化，这正是这家GPU厂商据报要求三星、美光和SK海力士在台积电的3纳米节点上制造NVHBM基础芯片的原因。
此外，核心芯片需要依赖第六代DRAM工艺，即1c。推动所有内存巨头采用单一制造工艺的动机，在于确保成品性能的一致性。由于基础芯片仅使用台积电的3纳米工艺，英伟达无需逐一验证各供应商的样品，从而在这一不必要的负担上节省宝贵的时间和资源。
根据最新报道，三星已接受这一要求，这也是这家韩国巨头首次摆脱“交钥匙”模式。不过，该公司仍在评估自家代工厂，以防NVHBM需求超出台积电的产能。标准HBM的核心芯片与基础芯片开发将继续由三星负责，而鉴于该方案带来的巨大需求，三星并不介意与台积电结成临时联盟。
HBM也是三星减少代工亏损的救命稻草。此前有估算称，这家韩国巨头的亏损在一年内收窄了41%，从2025年的6.74万亿韩元（约51亿美元）降至2026年的3.92万亿韩元（约29.5亿美元）。
