三星（Samsung）的内部测试似乎显示，骁龙8 Elite Extreme Gen 6存在过热问题，导致持续性能大幅下降，不过原始报道并未公布具体结果。争议之下，高通（Qualcomm）首席营销官唐·麦圭尔（Don McGuire）出面澄清，称相关说法不实，但他最新发布的帖子却引发了更多疑问，而非解答。
X上的新帖只提到了标准版骁龙8 Elite Gen 6，并未提及旗舰级的骁龙8 Elite Extreme Gen 6。
唐·麦圭尔随即为骁龙8 Elite Extreme Gen 6辩护，在X上回复杰森·C（Jason C.）时表示：“厂商在推出产品时都会持续对平台进行调校。”这位高通营销负责人所指的，可能是三星的内部测试让骁龙8 Elite Extreme Gen 6以最大功率上限运行，从而触发降频，但他在帖文中并未明确点出该芯片组的具体名称。
他反而只提到骁龙8 Elite Gen 6，略去了“Extreme”这一名号，这显然会对高通旗舰SoC传递出错误信号。尽管这两款2nm芯片存在大量相似之处，但骁龙8 Elite Extreme Gen 6可通过更高的功率上限调校至其宣称的5.00GHz时钟频率。为改善持续性能，高通不仅转向台积电（TSMC）的2nm工艺，还采用了“偏移式堆叠封装”（Offset PoP）。
值得注意的是，这位高通高管并未提及骁龙8 Elite Extreme Gen 6，只提到了标准版骁龙8 Elite Gen 6。这或许无关紧要，也或许另有玄机。
对于不熟悉的人来说，偏移式堆叠封装将散热片置于DRAM裸片之上，使其略微偏离硅片而非直接覆盖其上，从而有助于提升骁龙8 Elite Extreme Gen 6的持续性能。在此前的一项测试中，得益于改进后的封装，一款参考设计智能手机用了15分钟才达到最高温度阈值，时长是搭载骁龙8 Elite Gen 5的设备的两倍多。
在我们此前的报道中指出，由于相关说法源自一家韩国媒体，因此贬低骁龙8 Elite Extreme Gen 6可能是更大规模造势活动的一部分，目的是美化三星及其Exynos 2700。毕竟，该公司自家的2nm旗舰芯片预计将在2026年年底前发布，眼下正是维持这波热度的最佳时机。
出于尽职调查，我们已回复唐·麦圭尔在X上的帖子，询问他所指的是骁龙8 Elite Extreme Gen 6还是常规版骁龙8 Elite Gen 6。待获得更多细节后，我们将向读者转达所有相关信息，敬请关注。
