骁龙8 Elite Extreme Gen 6或许将成为高通首款2纳米系统级芯片，但最新报告显示，改进后的光刻工艺仍不足以让这款芯片在三星的内部测试中避免性能问题。不过，与其他公司不同，这家韩国巨头还有退路：若问题无法解决，可以转用Exynos 2700，但这将对高通造成更大的麻烦。
三星未公布内部测试结果，这或许说明其意在通过宣传攻势为Exynos 2700造势。尽管高通为骁龙8 Elite Extreme Gen 6采用了“偏移堆叠封装”（Offset PoP）技术，据称可改善该芯片的持续性能表现，但据Sedaily报道，三星仍在这款2纳米芯片上不断发现问题。相关发现已通报给高通，三星要求在本月内解决这些过热难题。
据一位韩国工程师称，埃隆·马斯克（Elon Musk）的Terafab从三星泰勒工厂挖走了“大量”人才，因为特斯拉（Tesla）在AI5芯片上提出了“苛刻条款”。
从最新进展来看，骁龙8 Elite Extreme Gen 6仍存在降频问题——在持续运行高负载任务时，其时钟频率会下降。遗憾的是，该报道既未给出也未引用三星内部测试的任何数据，因此难以判断其真实性。
若要说的话，这篇报道或许是一种委婉的造势手段，意在提升Exynos 2700的热度，该芯片有可能被用于即将推出的Galaxy S27 Ultra。据称，这款芯片是三星即将推出的系统级芯片，采用该公司略有改进的2纳米工艺“SF2P”制造。我们此前已多次看到韩国媒体试图为Exynos 2600等芯片造势，结果后者在多项基准测试中不敌竞争对手。
不过，我们也不应忽视高通的策略：该公司不仅积极采用最新制造工艺，还追求更高的时钟频率，以在Geekbench 7等单核和多核基准测试中压过对手。遗憾的是，这一决策迫使其芯片在显著更高的功耗限制下运行，因此额外性能提升伴随着重大代价。
这种做法与苹果（Apple）在A20 Pro上的思路截然不同：后者不仅聚焦先进光刻工艺，更注重架构层面的巨大改进。配合iPhone 18 Pro Max的均热板，这款旗舰机型的运行温度低于搭载骁龙8 Elite Gen 5、配有专用风扇的安卓智能手机。我们已就上述说法联系高通寻求置评，若有新消息将及时更新，但请记住，对这篇报道仍需持保留态度。
