埃隆·马斯克（Elon Musk）认为，中国在调试好生产设备后扩大产能的能力全球第一，但在3D堆叠、存算一体架构等下一代存储芯片平台上，中国可能会遇到困难。马斯克在X上发表了上述评论，这是他围绕中国芯片制造能力以及自身半导体制造知识所分享的一系列看法中的最新一条。目前，他正专注于Terafab项目，以满足旗下公司的半导体需求。
马斯克称SpaceX在产能扩张竞争中是异类
上周，中国长鑫存储（CXMT）在上海发布了一项重大公告，表示计划于今年年底前推出基于混合键合和4F²技术的DDR5存储芯片。这一消息令人震惊，因为全球领先的存储芯片制造商之一三星（Samsung）预计要到2028年才会推出同类产品。4F²是存储芯片行业的一项关键升级，它将存储芯片单元的组件垂直堆叠而非水平排列，以节省面积并提升性能。
另一项新兴存储芯片技术是3D堆叠，即将芯片内不同的存储层彼此叠加。还有一种方案来自高通（Qualcomm），其目标是将AI加速器堆叠在LPDDR内存下方，以获得更高带宽和更低成本等优势。
马斯克此次关于中国的评论，是在回应一篇质疑长鑫存储能否在产量、定价等竞争力因素上大规模交付其最新4F²存储芯片的帖子。他指出，以锂电池和光伏产品为例，中国的“产能扩张能力往往超过世界其他地区的总和”。
马斯克认为，在横跨多个行业的大规模生产能力这一“矩阵”中，唯一的异类是SpaceX，因为他的公司在送入轨道的有效载荷吨位上一直能够稳定超越中国。SpaceX的大部分火箭发射任务是为其Starlink卫星互联网星座服务，该星座已将数万颗小型互联网卫星送入轨道，用于全球互联网连接。
话题转向存储芯片时，这位高管仍然保持乐观，并表示也许生产RAM芯片会是另一个异类。不过，马斯克补充说，LPDDR5和LPDDR6存储芯片所遵循的标准，中国“似乎正在快速解决”。
这位高管认为，虽然中国可能更容易适应存储芯片的统一标准，但在HBM架构和3D堆叠等新兴技术上，中国可能会觉得“更难解决”。
在3D DRAM方面，中国芯片制造技术企业北方华创（Naura）今年早些时候取得了重大突破。在采用硅（Si）和硅锗（SiGe）层的64层3D DRAM堆叠中，该公司展示了可通过两步工艺改善蚀刻选择性和损耗率等指标。
