存储巨头美光（Micron）预计内存短缺将持续到2029日历年，这是投资银行巴克莱（Barclays）最新报告中的判断。该行的数据显示，DDR5内存现货价格在10月环比上涨了8%，新的客户协议开始跟随市场动态定价，而非此前的价格下限与上限模式。巴克莱的覆盖紧随花旗（Citi）之后，后者的报告预测DRAM短缺将在2027年第四季度达到顶峰，随后在接下来几个月略有缓解。
DDR5现货价格10月环比上涨8%，巴克莱数据揭示市场动态
巴克莱的数据显示，内存价格在2026年延续强劲走势。该行指出，DDR5现货价格在10月环比上涨8%。数据涵盖DDR4和DDR5内存芯片的合约价与现货价。随着持续的内存短缺似乎通过长期协议为内存芯片业务注入了可预测性，巴克莱指出，内存供应协议如今更能反映市场定价趋势，而非呈现价格下限和上限。
尽管DDR5内存芯片是最新技术，但截至10月的三个月内，DDR4芯片的价格涨幅更为迅猛。数据涵盖两类产品的合约价与现货价， accompanying报告还评论了芯片设计者通过规格缩减（de-speccing）来应对短缺的持续趋势。
从DDR4内存芯片来看，10月合约价环比上涨4%，三个月涨幅达24%，而DDR5价格同期分别上涨3%和20%。巴克莱补充称，客户的规格缩减只是为应对芯片供应短缺而采取的临时措施，但警告这一策略的长期趋势值得关注。
规格缩减最近成为焦点，此前特斯拉（Tesla）的埃隆·马斯克（Elon Musk）首先透露，特斯拉将其AI5芯片的内存容量减半，但后来提升至96GB，以防止它们成为内存容量最低的芯片。
巴克莱的数据及由此得出的结论得到了花旗另一份分析的佐证。花旗揭示，DRAM和NAND市场的供应缺口将持续到2028年。花旗的供需比（S/D ratio）——衡量需求超过供应的百分比——在2027年第四季度DRAM达到13.9%的峰值，NAND芯片则在2028年第一季度达到8.3%的峰值。以人工智能为核心的高带宽内存（HBM）芯片对DRAM芯片的依赖，导致制造商将重心放在DRAM而非NAND上，从而在另一个市场制造了供应紧张。
