英伟达（NVIDIA）据传将再次采用英特尔（Intel）的Foveros芯片技术用于部分后端用途，这一消息来自韩国GF证券（GF Securities）的一份报告。早在1月份，英伟达就首次被传将采用14A技术，当时台湾媒体DigiTimes的一篇报道指出，该公司将依赖英特尔的下一代芯片制造工艺技术。而英伟达对英特尔Foveros技术的依赖，也应能让台积电（TSMC）缓解其封装技术面临的部分压力——全球人工智能热潮正使制造产能日趋紧张。
分析师称英伟达后端需求将依赖英特尔Foveros
在先进AI GPU的制造过程中，生产通常分为两条线：前端和后端。前者指直接关系到产品计算能力的部分，后者则指主芯片制造完成之后的工序，涉及将晶圆切割出的芯片封装为最终产品、以便在数据中心使用等生产环节。
在这一领域，尽管英特尔在确立自身作为先进前端芯片制造技术代工厂方面仍在追赶台积电，但该公司已将自己定位为后端技术的供应商。其当前的后端（封装）技术为EMIB和EMIB-T，这两种技术已多次被传引起了谷歌（Google）对其TPU AI芯片的兴趣。
一张数字示意图展示了英特尔的EMIB-T技术，重点突出了将TSV（硅通孔）集成以实现直接垂直供电和信号传输的设计，图注写道：EMIB-T将TSV集成到桥接器中，以实现直接垂直供电和信号传输。
继今年早些时候有报道称谷歌在封装需求上依赖英特尔的EMIB-T技术之后，韩国GF证券的分析师Jeff Pu又在另一份报告中声称，英伟达也可能为其AI产品采用该公司的服务。
该报告紧随1月份浮出水面的另一篇报道，后者称英伟达可能为其Feynman GPU产品采用英特尔的18A或14A制造工艺节点。报道指出，虽然该芯片的主GPU裸片将依赖台积电的先进工艺，但在非核心IP方面，英特尔或许能参与其中。
今天这份来自分析师Pu的报告除了在一定程度上印证1月份的报道外，并未透露太多细节。据Pu称，随着英特尔的14A芯片制造技术预计于2028年下半年投产，英伟达可能在同一时期通过采用英特尔的Foveros芯片封装技术而参与其中。
英特尔的Foveros相比EMIB-T技术是一次重大升级，因为它是一种“真正的”3D堆叠技术。在Foveros中，计算小芯片或芯片组被主动堆叠在基础裸片之上，而EMIB则还依赖将它们水平并排放置。这种方法缩小了芯片封装的整体水平占用面积，并且得益于垂直堆叠，还能提升能效和数据传输速度。
