三星电子（Samsung Electronics）据报道在竞争日益激烈的HBM竞赛中又扫清了一道重大障碍，其下一代12层HBM4E内存据称已通过英伟达（NVIDIA）及多家主要超大规模客户的资格测试。
据韩国媒体《韩经》（Hankyung）的最新报道，三星内存部门已于9月底完成了其12层HBM4E在英伟达及其他大型数据中心客户处的资格测试。资格认证是内存产品迈向商业部署前最重要的步骤之一，客户需借此评估硬件是否满足其要求的性能、可靠性、散热及其他规格。
然而，有一个重要的前提需要说明。该报道仅声称三星通过了客户资格认证；实际供应量、合同金额及量产交付时间表尚未得到确认。三星本身拒绝证实该报道，对《韩经》表示无法确认HBM4E资格认证是否已完成。
三星于5月开始向全球主要客户出货12层HBM4E样品。该芯片每堆栈容量达48 GB，每引脚稳定运行在14 Gbps，可扩展至16 Gbps，带宽最高可达3.6 TB/s。三星称，这比其HBM4代产品性能提升超过20%。
在底层架构上，HBM4E将三星第六代10纳米级1c DRAM与三星晶圆代工（Samsung Foundry）生产的4纳米逻辑基底芯片相结合，延续了其HBM4产品已采用的制造技术。三星此前表示，该芯片还在能效和散热特性方面有所改进——随着AI加速器不断推高内存带宽和功耗需求，这两个因素日益重要。
三星一直在积极行动，以强化其在HBM市场对抗SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）的地位。该公司于今年早些时候开始量产HBM4，该内存专为英伟达Vera Rubin平台设计，随后迅速跟进推出了HBM4E样品。
如果报道中的英伟达资格认证属实，三星现已跨越了一个重要的技术里程碑。下一个问题是，当英伟达及其他AI客户开始加速其下一代加速器时，这是否能转化为可观的HBM4E订单。
