在当今人工智能建设热潮的疯狂背景下，一平方毫米的1b DRAM竟然比同等面积的台积电（TSMC）N2晶圆还要贵，尽管后者的制造难度要大得多。一平方毫米的1b DRAM晶圆成本为0.654美元，而台积电N2晶圆每平方毫米成本为0.42美元。
以下是长鑫存储（CXMT）G5与三大巨头D1b和D1c产品的对比。注意特征尺寸和单元尺寸，以及位密度可能介于1b和1c之间。考虑到1b DRAM晶圆目前的平均售价甚至高于台积电N2。长鑫存储将在未来几年内扩大G4和G5的产能。……——tphuang（@tphuang）2026年9月21日
据Kernel Insight援引ZDNET的报道，300毫米台积电N3（3纳米）晶圆的价格约为20,000美元，而同尺寸的N2晶圆价格约为30,000美元。折算下来，N3每平方毫米价格为0.283美元，N2为0.424美元。
接下来，1b DRAM的位密度为每平方毫米0.436 Gb。以每Gb 1.50美元的参考价格计算，每平方毫米成本约为0.654美元，比台积电同等面积的N2晶圆贵约54%。
请注意，9月21日，DRAM Exchange披露16 Gb DDR5 eTT价格为24.80美元，折合每Gb约1.55美元。因此，从实际意义上讲，每Gb 1.50美元的参考价格是合理的估算。
事实上，即便是落后多代的1z DRAM，在每平方毫米成本上也几乎与台积电的尖端制程相当，其位密度为每平方毫米0.273 Gb，折合参考成本约为每平方毫米0.410美元。
值得特别注意的是，DDR5的制造难度远低于台积电N2节点同等面积的硅晶圆。然而，这恰恰印证了大宗DRAM持续短缺的现状——1b DDR5目前的价格比台积电尖端晶圆高出约50%。
三星电子（Samsung Electronics）修订下一代DRAM“D0a”路线图，将混合键合技术提前。三星电子已调整其下一代DRAM开发战略。该公司近期将“B1b”——此前作为独立项目开发的技术——……——Jukan（@jukan05）2026年9月23日
更重要的是，这种格局预计短期内不会恢复正常，尤其是因为三星的B1b制程——其首个亚10纳米DRAM制造工艺——计划将存储单元和外围驱动电路分别制造在独立晶圆上，然后通过晶圆到晶圆混合键合技术将它们连接起来，从而将存储单元堆叠在外围电路之上。由于混合键合成本相当高昂，有理由认为三星将对下一代DRAM定出令人瞠目的高价。
