在骁龙峰会开幕前一天,一位中国内容创作者上传了一款工程样机的视频,其中搭载的正是高通首款2nm芯片——骁龙8 Elite Extreme Gen 6。在视频中,我们了解到了这款芯片组的众多规格,尤其是其全新先进的SoC封装技术,当然还有它在Geekbench 6中的单核与多核跑分。

Snapdragon-8-Elite-Gen-6-Pro-leaked-chipset-die-2-1.jpeg

苹果A20 Pro在Geekbench 6中仍然快于骁龙8 Elite Extreme Gen 6,不过后者在多核成绩上略微领先。

在视频泄露之前,骁龙8 Elite Extreme Gen 6的部分规格已经为人所知,比如全新的CPU集群采用了“2 + 3 + 3”配置,其中两个核心频率为5.10GHz,随后是三个4.00GHz的核心,最后是三个3.74GHz的核心。这是高通多年来首次对这一配置做出调整,很可能是因为过渡到了台积电改进的2nm“N2P”工艺,以及我们下文将谈到的新封装技术。

更高的时钟频率意味着骁龙8 Elite Extreme Gen 6在基准测试中会有相当出色的表现,果不其然,哔哩哔哩用户Nonx_Official上传了Geekbench 6的单核和多核跑分。至于高通这款即将推出的旗舰SoC能否在同一测试中击败苹果A20 Pro,我们有好消息也有坏消息。坏消息是,A20 Pro仍然是单核成绩的王者,获得了4,725分,多核成绩为12,575分。

骁龙8 Elite Extreme Gen 6的工程样机单核成绩达到4,327分,多核成绩为12,873分。A20 Pro商用版最终快了9.2%,而鉴于工程样机通常因为SoC运行在更高功耗限制下而能跑出更高的基准分数,搭载骁龙8 Elite Extreme Gen 6的智能手机实际单线程和多线程成绩很可能还会更低。

虽然最新对比显示A20 Pro是目前Geekbench 6中最快的智能手机芯片,但我们还需等待更多结果出炉。至于骁龙8 Elite Extreme Gen 6,从其中一张图片可以看出,高通为其加入了类似三星在Exynos 2600上使用的热通阻滞块。它本质上是一个散热片,能以更快的速度将热量从SoC传导出去。

三星DRAM仍然放置在骁龙8 Elite Extreme Gen 6上方,而非像苹果在A20 Pro上那样放置在侧面,因此我们还需拭目以待高通在这一设计上是否犯了错误。提醒一下,骁龙峰会明天开幕,视频中未出现的任何难以捉摸的细节届时都将揭晓。


文章标签: #骁龙芯片 #nm工艺 #Geekbench #手机处理器 #高通
菠萝老师先生

负责编辑

  菠萝老师先生 

  让你的每一个瞬间都充满意义地生活,因为在生命的尽头,衡量的不是你活了多少年,而是你如何度过这些年。