存储巨头三星（Samsung）正准备大举扩大下一代HBM4存储芯片的产能，据韩国媒体报道。与其他存储芯片制造商一样，在人工智能数据中心建设带来的旺盛需求推动下，全球存储芯片供应短缺，三星正面临产品供不应求的局面。该报道的依据是用于制造HBM存储芯片的零部件订单增加，其中玻璃载板的订单预计明年将大幅增长。
报告称三星HBM产量预计2028年增长40%
过去几个月已有多篇报道讨论三星的HBM4存储芯片。HBM4存储芯片主要用于英伟达（NVIDIA）最新的AI GPU产品线——Vera Rubin系列产品。高带宽内存（HBM）的技术进步也使得存储芯片的基础裸片必须升级。
该裸片位于构成HBM模组的DRAM存储芯片堆栈底部，有报道称三星已投入大量代工产能用于制造HBM4基础裸片。根据披露的细节，这些存储裸片将采用4纳米制程工艺节点制造，该节点通常用于逻辑芯片生产，如中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU）。
如今，韩国媒体的一篇报道称，三星预计将大幅增加玻璃载板的采购量。这些载板用于DRAM生产中专门服务于HBM封装，细节显示三星的玻璃载板采购量将在2027年达到2026年水平的2.5倍。
具体而言，三星的采购量将从目前的每月20,000片载板增加到2027年的每月50,000片。报道还称，2026年的数字相较2025年已有大幅增长，因为三星在2025年的用量为每月10,000片。
这些载板在DRAM晶圆准备进行HBM封装时将其固定到位，通常在整个制造过程中重复使用。三星还据报道已向英伟达提供其HBM产品样品，以确保满足高端AI GPU的严格要求。
随着AI产品需求火热，据报道三星也在利用其逻辑代工优势在HBM市场发挥关键作用。媒体报道称，该公司有意将其领先的2纳米制程工艺用于HBM基础裸片，并已为此确定了生产线。
