韩国半导体产业协会（Korea Semiconductor Industry Association）近日量化了中国在半导体领域对西方阵营的惊人追赶速度，详细说明了闪存巨头长江存储（YMTC）和DRAM巨擘长鑫存储（CXMT）如何迅速缩小技术差距，并日益具备竞争力。
中国长鑫存储与长江存储在NAND和DRAM制造工艺上仅落后西方阵营1至3年，与此前约5年的差距相比，堪称巨大飞跃。
《韩国中央日报》（The Korea JoongAng Daily）近日援引韩国半导体产业协会的消息指出：
“韩国与中国在存储芯片上的技术差距已缩小至HBM三年、DRAM两年、NAND闪存一年。”
令人惊讶的是中国芯片领域技术进步的巨大规模。毕竟，不久前这一差距还徘徊在5年左右。
具体来看这些数字：三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）于2025年开始生产300层NAND闪存，当时长江存储（YMTC）生产的是270层NAND。然而到2027年，长江存储将推进至400层NAND，与三星和SK海力士的差距缩小至仅约1年。
同样，三星和SK海力士于2023年开始生产DDR5，但长鑫存储（CXMT）直到2025年才开始生产DDR5模组，差距约为2年。不过有趣的是，长鑫存储已实现LPDDR5X的量产，并且刚刚开始生产LPDDR6。
在HBM方面，长鑫存储的技术落后目前约为3年。当然，长鑫存储才刚刚开始HBM3E模组的试产，良率仅约25%，这家DRAM巨头仍在努力攻克用于垂直连接存储堆叠的硅通孔（TSV）技术。
长鑫存储正利用长江存储的X-Stacking 3D NAND存储方案，在其G4工艺上构建HBM3E堆叠。该工艺并非完全依赖传统微凸块来桥接堆叠的DRAM裸片，而是采用长江存储的铜-铜混合键合技术，将晶圆之间的铜互连融为一体，缩短了堆叠DRAM层之间的电路路径。至关重要的是，这一架构使长鑫存储和长江存储无需依赖极紫外（EUV）光刻设备，就能制造出具有竞争力的HBM架构。
长鑫存储还计划在今年接收来自上海爱旭和宇亮生的一些国产DUV光刻设备。然而，这些DUV制造商仍面临一些瓶颈，尤其是投影镜头和光源方面。
值得注意的是，长鑫存储目前正在大举扩产，计划到今年年底通过三座300毫米DRAM晶圆厂——每座产能约10万片/月——将产能提升至30万片/月。到2026年底，其HBM专用产能将达到约5万片/月。
此外，这家存储制造商目前正在上海和合肥建设两座新晶圆厂，投产后产能将提升至60万片/月。事实上，长鑫存储有望在2030年前在产量上超越美光（Micron）。
为克服工艺微缩的制约，长鑫存储目前显然正在使用高k金属栅（HKMG）技术，以氧化铪（HfO₂）等材料替代传统的硅基绝缘体。这不仅能抑制电流泄漏及随之而来的热能浪费，还能提升能效，并为更高速度铺平道路，因为晶体管翻转状态的速度远快于多晶硅栅极所能达到的水平。
由于长鑫存储目前显然正将这一技术应用于其G4 DRAM制造工艺——外界普遍认为该工艺处于1z节点——以及LPDDR5X产品，因此有理由推断该公司即将迈向更先进的1a节点。考虑到长鑫存储已在开发下一代15纳米G5 DRAM制造工艺，这种可能性就更大了。
至于长江存储，其产能预计到2027年初将达到30万片/月，其中部分产能将用于LPDDR。一旦长江存储的两座新晶圆厂于2027年投产，其总产能将在2028年增至45万至50万片/月，而三星到2027年底的NAND产能为35万片/月。
