中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）的HBM内存芯片生产正面临良率问题。据韩国媒体报道，由于封装环节复杂，HBM内存芯片的制造难度远高于传统DRAM模组。
长鑫存储能在全球存储市场迅速崛起，靠的是在各大传统存储厂商纷纷将重心转向HBM生产之际，仍能稳定供应DRAM模组。
报告称长鑫存储受困于硅通孔与HBM堆叠，良率卡在25%
HBM内存芯片虽由DRAM模组搭建而成，但将模组层层堆叠却是整个工艺的关键所在。最多可达16层堆叠在一起，再通过名为硅通孔（TSV）的细导线连接，随后接入基底芯片，从而与计算机系统通信。
对于下一代HBM芯片，即HBM4模组，SK海力士（SK hynix）等制造商有意采用混合键合。典型的HBM键合依赖每一层DRAM下方的凸块，而混合键合则试图取代这些凸块，改由底部填充材料承担。
去掉凸块会带来额外的复杂性，需要洁净室环境与极高的表面平整度，以确保杂质不会影响HBM堆叠的性能。
为确保HBM堆叠中的各层能与计算平台通信，制造商在晶圆上钻出细孔并置入垂直导线。这些导线被称为硅通孔，而据今天的报道，长鑫存储在其实施上举步维艰。该公司的8层HBM3内存芯片良率停留在25%至30%，且最终产品中仅有70%能通过额外测试与评估，获准用于终端产品。
业内人士向Chosen表示，该公司难以将其DRAM生产工艺扩展至HBM芯片。报道称，一颗标准的长鑫存储HBM芯片拥有3,000个硅通孔开孔，并补充说该公司在DRAM层的堆叠与键合上也遇到困难。这些难题意味着，每100颗HBM3芯片中约有80颗无法通过质量审核。
HBM内存芯片是全球存储行业的关键瓶颈，由于AI数据中心建设持续推进，其需求十分旺盛。该行业由SK海力士、美光（Micron）和三星（Samsung）主导，而长鑫存储则通过向中国本土企业供应DRAM芯片，为自己开辟了一席之地——这些芯片正是那些大公司抽走资源后留下的缺口。
