命运似乎对英特尔（Intel）露出了微笑，尤其是其多年战略转型终于即将带来财务回报，这一点从这家芯片制造商迅速扩张的EMIB-T产能，以及在高数值孔径EUV（High-NA EUV）技术上对三星（Samsung）和台积电（TSMC）的巨大领先优势中可见一斑。
瑞银集团（UBS）现在认为，英特尔能够轻松满足联发科（MediaTek）日益增长的TPU相关需求，为其提供EMIB-T先进封装，并且到2028年具备封装超过200万片基板的能力。
根据瑞银集团的说法，整个行业对英特尔的EMIB-T越来越乐观，尤其是在该先进封装方案的实施策略和良率方面。因此，瑞银集团认为，EMIB-T到2028年可支持超过200万片基板，以满足联发科的需求。需要注意的是，联发科是谷歌（Google）下一代TPU v9 AI芯片系列的主要战略设计与开发合作伙伴，该系列包括2nm的“Humufish”及其升级版本“Triggerfish”。
为便于不了解的读者理解，英特尔的EMIB通过直接嵌入有机基板内部的微小硅“桥”，在单个处理器封装内连接多个硅芯片（小芯片），高密度微凸点只放置在芯片与桥相接的边缘。
EMIB-T则将这一方法推进了一步，其硅桥直接钻有硅通孔（TSV）。这些垂直布线通道让电力和高速信号从芯片封装底部直接向上流经硅桥，进入上方的处理器或内存，从而实现3D堆叠。
回顾一下，英特尔的EMIB-T所使用的基板包括：
基础有机面板，带有精密钻孔的腔体，用于放置硅桥，由主要锚定供应商揖斐电（Ibiden）、新光电气（Shinko）、欣兴电子（Unimicron）和奥特斯（AT&；S）制造。
介电增层（Dielectric Build-up Layer），即直接层压在嵌入式硅桥上的绝缘层，采用行业标准的味之素堆积膜（Ajinomoto Build-up Film）。
硅桥本身，包含用于垂直传输电力的硅通孔。
需要注意的是，英特尔的EMIB-T比台积电的CoWoS便宜约50%。当然，台积电正指望下一代CoPoS面板级封装来保持其优势。
与此同时，当三星和台积电敲定将高数值孔径EUV光刻纳入其工作流程的计划时，英特尔刚刚用该技术生产了第100万片测试晶圆，这表明它至少比整个行业目前所处的水平领先2至4年。需要注意的是，高数值孔径EUV将曝光场减半，使单次曝光可印刷的最大芯片尺寸减半，从而让芯片制造商能在单次曝光中印刷出明显更小的特征。这也消除了在3nm节点以下几何尺寸上依赖多重曝光的需求。
