随着高带宽内存（HBM）的需求超过供应，据报道，三星（Samsung Electronics）已将其4纳米产能的50%以上用于制造这种内存芯片。该报道由ZDNet Korea提供，涉及这些内存芯片的基础芯片。与采用定制制造节点制造的HBM DRAM模块不同，基础芯片使用制造逻辑芯片的技术来制造。
报告称三星计划在2026年第三季度扩大HBM4内存芯片生产
作为其报道的一部分，ZDNet援引三星内外消息人士的话称，截至上个月，该公司4纳米芯片制造产能的50%已预留给HBM4内存芯片。该媒体甚至评论称，4纳米工艺目前正满负荷运行，其中50%至60%的产量来自HBM4内存芯片基础芯片。
三星在全球半导体制造行业中的角色使其具备独特优势，能够设计其DRAM和基础芯片。内存生产的演进给基础芯片带来了更大的负担，这些芯片位于HBM堆栈中堆叠的DRAM层的底部。
今日的报道指出，三星正在其从4纳米到7纳米的制造工艺上大规模生产产品。生产正在该公司的平泽（Pyeongtaek）园区2和园区3进行，利用了S5和S6代工生产线。这些工厂4纳米工艺的总产能为每月30,000片晶圆，其中15,000片用于HBM4基础芯片。
该报道紧随8月份的一篇报道，后者称三星也在考虑将其2纳米技术用于HBM基础芯片。该报道同样来自ZDNet，并称该公司有意重新利用器兴（Giheung）工业区的一条生产线。该报道还补充说，2纳米HBM基础芯片可能专门预留给为AI芯片巨头英伟达公司（NVIDIA Corporation）设计的芯片。
将逻辑代工工艺用于HBM基础芯片的转变始于HBM3和HBM3E产品。这些芯片由于更高的数据传输速率和引脚速度，需要先进技术。虽然三星的基础芯片依赖内部技术，但SK海力士（SK hynix）已将其生产外包给台积电（TSMC），而美光（Micron）据信正在使用定制工艺。
