英特尔近年来利好不断，尤其是在其下一代14A芯片制造工艺方面，这从该工艺订单量日益增长的迹象，以及缺陷密度曲线优于当前一代18A工艺同期轨迹中可见一斑。
若英特尔的14A工艺从此沿着当前一代18A工艺的缺陷密度曲线轨迹发展，这家芯片制造商的下一代工艺很可能将在2028年第二季度准备就绪，投入商用。
可能有些读者不太了解，D0或称缺陷密度，衡量的是硅晶圆上单位面积内检测到的微观瑕疵或缺陷的平均数量。当特定芯片制造工艺接近商业化时，其缺陷密度通常会骤降，从而相应地提升良品率。
事实上，与英特尔当前一代18A工艺的缺陷密度曲线相比，14A工艺在缺陷密度抑制方面的进展“在可比的缺陷密度节点上领先了3至4个季度，这表明良率学习的速度要快得多”。
更重要的是，如果英特尔的14A工艺仅从此刻起遵循当前一代18A工艺的缺陷密度曲线轨迹，那么它很可能将在2028年第二季度准备就绪，投入商用，这与目前初步规划的2028年下半年商业化时间表相比，是一个显著的积极偏差。
顺带一提，这一细节与英特尔的大卫·津斯纳（David Zinsner）近期的声明完全吻合。他在本周早些时候指出，14A工艺的提升速度至少是自2012年22纳米时代以来最快的。
当然，14A工艺之所以进展快于18A工艺的商业化时间表，有其现实原因。毕竟，英特尔已经通过18A工艺解决了一些最棘手的技术难关，包括全环绕栅极（GAA）和背面供电技术，期间经历了多达四次的集成尝试和一些失败的产品才达到这一阶段。
简要回顾一下，英特尔的14A是一种1.4纳米级别的芯片制造工艺，其特点包括：
采用RibbonFET 2晶体管和第二代全环绕栅极（GAA）架构，能够对日益微缩的晶体管实现更严密的静电控制，从而带来更优的驱动电流和极低的漏电功耗。
采用名为PowerDirect的背面供电系统，该系统将电路布线完全移至硅晶圆背面，从而释放正面的布线空间用于数据信号，以此降低电阻并提升晶体管密度。
当然，我们在八月曾报道，英特尔正准备发行新股，以筹集约150亿美元的新资本——随后这一规模扩大至200亿美元。虽然英特尔对其筹集这笔新资本的具体用途并未明确说明，但公司当时确实指出，“此次发行旨在进一步使英特尔能够抓住未来的增长机遇，同时保持强劲的资产负债表及其对投资级评级的承诺。”
关键在于，陈立武（Lip-Bu Tan）已多次表示，只有在为尖端的14A工艺节点锁定确认订单后，他才会批准大幅扩建英特尔的代工业务。这为我们迄今收到的关于14A工艺商业可行性的最明确信号之一提供了佐证，尤其是考虑到英特尔已握有约300亿美元的现金，这似乎排除了为杂项用途筹集新资本的必要性。
