中国在极紫外光刻技术方面难以在十年内追平荷兰芯片制造设备巨头ASML，投行瑞银集团（UBS）的一份新报告如是判断。EUV光刻扫描仪是全球先进芯片制造产业链中的关键一环，没有它，制造最新制程芯片将变得复杂而昂贵。
美国对中国实施的技术限制，使中国主要芯片制造商无法获得EUV光刻机。瑞银集团指出，相较EUV技术，中国在较旧的浸没式DUV光刻技术领域能够更快弥补差距。
瑞银：中国EUV芯片制造技术发展水平与ASML 2004年相当
早在2003年和2004年，ASML便对其EUV设备进行功能和真空测试，以降低45纳米及更先进制程的生产风险。同一时期，能够适配13.5纳米波长的先进反射镜也在研发之中。由于传统光源在EUV波段的局限性，ASML还同步推进了激光与等离子体技术的开发。
如今，ASML正聚焦于高数值孔径（High-NA）EUV光刻系统的研发，该系统采用高数值孔径的反射镜与光学元件，以提升对焦精度和图像锐利度。无论是传统DUV系统还是高数值孔径技术，都代表了相较于早期DUV系统的重大升级——后者在光刻工艺的某些环节最初依赖空气，继而改用超纯水。
ASML的高数值孔径EUV光刻机
如今，投行瑞银集团的最新报告称，就EUV技术发展而言，中国的进展与ASML在2004年所处阶段相似。因此，该行认为，这个亚洲国家在未来十年内将无法在EUV领域达到与ASML同等的水平。报告同时指出，ASML的销售仍高度依赖中国，其2025年销售额中有33%来自中国市场，相较2020年之前的10%有显著跃升。
据该投行分析，这一关于EUV进展的结论基于专利数据得出。瑞银集团认为，在制造设备领域值得关注的两家企业，分别是国资背景的上海微电子装备（SMEE）以及初创企业上海煜量声科技有限公司（Shanghai Yuliangsheng Technology Co.， Ltd.）。但瑞银集团表示，相较于EUV，这两家公司更值得关注的是其在深紫外（DUV）光刻技术方面的进展。
该投行补充称，与EUV不同，中国有望在两年到五年内追平ASML的浸没式DUV光刻技术。浸没式光刻，又称湿法光刻，通过一层超纯水来缩短光的波长，从而提高分辨率和焦深。
然而，瑞银集团认为，尽管有上述进展，由于良率与产能存在差距，中国仍将继续依赖ASML的设备。该行同时基于对中国出台新的DUV销售限制这一假设，构建了对ASML的看空情景，并预计到2027年，中国市场将占ASML销售额的15%至20%之间。
