英特尔（Intel）首席财务官大卫·津斯纳（David Zinsner）认为，该公司14A制造工艺技术的改进速度，是自2012年22纳米工艺节点推出以来最快的。这位高管在德意志银行（Deutsche Bank）举办的2026年技术大会上作出上述表态，并谈到了该工艺的缺陷密度。缺陷密度衡量的是晶圆单位面积内包含的缺陷或污染，通常以每平方厘米的缺陷数量来表示。
14A在英特尔的路线图上相当重要。从公司前任首席执行官帕特里克·基辛格（Patrick Gelsinger）到现任首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan），英特尔的目标是在全球芯片代工行业的计算领域追上台积电（TSMC）。
实际上，今年7月，英特尔已确认14A工艺预定于2027年进入风险试产、2028年进入量产。此前，公司曾表示风险试产要到2028年才开始。就在2025年，这位首席财务官还曾表态：“如果按成熟度来看14A，并在18A达到同一成熟阶段时进行对比，我们在性能和良率方面都更胜一筹。”
如今时隔将近一年，这位英特尔首席财务官声称，14A工艺技术的缺陷密度，正在沿着与22纳米工艺相似的改进路径发展。英特尔的22纳米工艺节点具有历史意义，因为它是首个引入FinFET晶体管设计技术的节点。
他还表示，英特尔已经开始设计首批采用14A的产品。这些表态之所以重要，是因为它们表明该技术可能正受到客户的强烈兴趣。14A工艺在很大程度上取决于英特尔代工业务的成败，而公司管理层此前也已指出，缺乏客户兴趣可能为该技术带来麻烦。
在推进14A的同时，英特尔也在开发该技术的第二代版本，名为14A2。据传这种变体将利用芯片的正面与背面进行供电。由于先进制造工艺使芯片尺寸进一步缩小，芯片内部负责传输信号的导线会出现电压下降，因此这一设计转向成为必要。
