英伟达（NVIDIA）似乎决心终结三星、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）这三大存储巨头对HBM的寡头垄断，并显然正将NVHBM作为杠杆，推动一场颠覆性的范式转变。
NVHBM是英伟达抢占单个HBM堆栈内部大部分价值的强力举措。正如我们近日所报道的，英伟达刚刚发布了其NVHBM DRAM解决方案：NVHBM将英伟达自研的内存控制器从XPU上移出，直接集成到HBM堆栈的底层基片（base die）上。
与标准HBM4E相比，这一设计可将内存带宽提升约30%，同时将功耗降低约15%——在标准HBM4E中，基片仅负责连接HBM与GPU、CPU等外部处理器的高速接口。
将内存控制器从XPU上移出，还能在主芯片上节省多达25%的核心面积，这些面积可用于增强计算能力。如果台积电（TSMC）12nm基片的成本已经是DRAM核心芯片的三到四倍，那么转向5nm工艺将进一步拉大这一差距。HBM成本中更大比例将集中在逻辑层：控制器、接口和定制IP，而非存储芯片本身。这正是NVHBM的核心要点。一个专有的……——半导体内幕（Semiconductor Insider），2026年8月31日
这便引出了今天话题的核心。今天早些时候，我们获得消息称，SK海力士正在评估将其HBM基片制造从台积电转移至英特尔（Intel），以降低成本。
该消息还透露，SK海力士目前正基于台积电的12nm工艺制造其基片，其成本高达普通DRAM芯片的三到四倍。考虑到基片占据了单个HBM堆栈中的大部分价值，英伟达的NVHBM实为一着妙棋，旨在从所谓“三巨头”手中夺取主动权。随着定价权转移到控制器所有者手中，三大巨头的DRAM产品也在此过程中被商品化。
