韩国芯片巨头三星（Samsung）可能将正在建设中的研发设施生产线上的一条产线改造用于生产其HBM存储芯片的基底逻辑晶片。该消息援引ZDNet引述的行业消息人士报道，并指出由于该设施预计约两年后才启用，相关计划仍可能调整。
据称三星拟采用2纳米制程工艺为NVIDIA生产HBM存储芯片基片。HBM存储芯片的设计（主要用于AI计算应用）需要将多层DRAM存储芯片堆叠在一起。随着计算基础设施性能要求的提升，这些芯片的设计也在不断演进。除了堆叠DRAM层数的增加之外，HBM存储芯片上的基片（base die）也是另一个关键演进因素。
基片的首次更新发生在制造商转向HBM3和HBM3E存储芯片时。由于数据速率和引脚速度较前代存储芯片大幅提升，此次升级促使制造商首次采用IC代工厂节点工艺来制造基片。因此，基片开始依赖从20纳米到12纳米范围的逻辑节点工艺。
下一次转变发生在HBM4存储芯片上，目前NVIDIA的Rubin芯片等最新AI产品均采用该芯片。这一转变源于HBM3E存储实现的高数据速率，以及更宽的总线和更多硅通孔（TSVs）。这些变化使得台积电（TSMC）和三星代工（Samsung Foundry）等代工厂接管了HBM芯片基片的制造角色。
如今，ZDNet的一篇报道称，三星有意将其在韩国器兴工业区正在建设的研发设施中的一条产线进行改造。该报道称，这条产线可通过2纳米芯片制造技术生产HBM基片，这些基片可能用于NVIDIA的AI芯片，而可能用于此目的的产线是NRD-K Line 2。
今年早些时候，三星宣布将采用4纳米制造技术生产HBM4存储芯片。除三星外，SK海力士（SK Hynix）也将与代工厂合作生产其HBM芯片，该公司已与台积电联手。台积电为HBM存储芯片制造提供成熟的N12节点和先进的N5节点两种选择。存储行业第三大厂商美光（Micron）也已就HBM4存储芯片与台积电展开合作。
