数据中心和GPU的AI推理仍将依赖高带宽内存（HBM），因为它兼具容量和带宽优势。但最新数据显示，在毛利率对比方面，美光（Micron）等内存制造商将继续从通用DRAM出货中获益。事实上，最新研究指出，将更多制造产能分配给HBM反而损害了美光的业务。
HBM毛利率正在缓慢爬升，但即使到明年，其毛利率仍无法与DRAM比肩。瑞银（UBS）的数据显示，自2025年起，美光通用DRAM毛利率已从44%提升至50%，最大涨幅出现在2026年初，该数字一度攀升至80%。考虑到数据中心需求尚未得到满足，更多细节表明，美光的毛利率有望在2027年升至95%，并在2028年大部分时间保持在93%左右。
鉴于内存生产趋势已发生剧烈转变，鉴于通用DRAM能带来更高收益，美光将通用DRAM生产置于HBM之上是合情合理的。然而，随着SK海力士（SK Hynix）和三星（Samsung）竞相开发下一代HBM内存（包括良率已达80%的HBM4），美光也不会退缩，无论此举是否会对自家DRAM业务造成冲击。
HBM生产的根本症结在于其技术特性。该工艺需要将多个DRAM裸片垂直堆叠，导致良率复杂化并推高成本。不幸的是，由于在同等晶圆投入下制造HBM需要消耗更多DRAM供应，可用的DRAM产能开始缩减。
随着HBM毛利率预计在2027年达到75%至78%，美光在这一技术上的短期收益显然不如通用DRAM丰厚。尽管如此，瑞银认为美光的HBM业务正处于快速扩张期，其季度出货量将从2025年初的0.1 EB逐步攀升至2027年底的0.43 EB。
尽管DRAM产能因HBM生产而承压，美光或许也明白，这些收益都只是转瞬即逝的机会，市场价格终将企稳。在持有380亿美元预付款的背景下，另一份报告指出，这些内存制造商的议价筹码将在2029年开始减弱，天平将向客户倾斜。因此，美光在中场休息前依然有充足时间来构建有意义的产能优势。
