根据台湾半导体产业媒体《DigiTimes》的报道，三星电子（Samsung Electronics）的HBM4内存在最近取得了接近80%的良率，这一水平已逼近行业所称的“黄金良率”。该内存产品在二月刚进入量产时良率还低于60%，但仅用半年时间就达到了原定于年底才能实现的目标，其工艺改进速度超出了行业预期。
三星在HBM（高带宽内存）领域经历了重重挑战，以与SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）竞争。公司投入了多代产品进行设计和验证，虽进展缓慢但稳步向前。如今，三星在其HBM路线图上取得了重要里程碑，其中就包括HBM4内存。据《首尔经济》报道，三星的HBM4良率已接近80%，被认为是行业内的“黄金良率”。
公司于今年二月开始了最新HBM4解决方案的量产，提供12层堆叠，单堆栈容量最高可达36 GB。这些DRAM模块的速率为11.7至13.0 Gbps。三星HBM4方案的主要亮点包括：10纳米级DRAM制程技术（1c）、4纳米逻辑制程、11.7-13.0 Gbps的引脚速率、每堆栈高达3.3 TB/s的带宽、24-36 GB容量的12层HBM4、48 GB容量的16层HBM4、2048个引脚、电源效率提升40%、相比HBM3E热阻改善10%以及散热性能提升30%。
在量产消息刚公布时，三星的HBM4良率据报道为60%，但得益于加速优化的生产流程，公司提前完成了年末目标，达到了80%的良率。这一成绩令业界瞩目，也增强了市场对其HBM发展路线图的信心。此外，三星已将第三季度HBM4 DRAM的季度收入提高了三倍，并计划在2026年下半年将HBM4内存在其HBM产品中的占比提升超过60%。公司目前处于有利地位，有望挑战SK海力士在HBM领域的主导地位。
至于HBM4E，三星据报已将可靠性测试的良率提升至70%，为进入下一代HBM市场做好了准备。公司今年早些时候发布了HBM4E内存，堆叠容量为48 GB，每堆栈带宽最高可达4 TB/s。AMD（Advanced Micro Devices）已经开始在其Instinct MI400平台上采用三星的HBM4内存，并且随着HBM4E的改进，三星还希望英伟达（NVIDIA）也能在其Rubin Ultra以及下一代MI500系列中采用其产品。三星的HBM路线图实现了显著飞跃，凸显了其快速进步和重拾的信心。随着AMD在Instinct MI400系列中采用其内存，以及HBM4E的强劲发展势头，三星正稳固地确立自己在高风险的AI DRAM领域中的有力竞争者地位。
