埃隆·马斯克（Elon Musk）早前已准备在特斯拉（Tesla）与SpaceX之间极具雄心的Terafab联合项目中，实现前所未有的半导体垂直整合。
即便如此，这位超级亿万富翁刚刚再度大幅提升野心，将内存相关的雄心也投入这一硅业大熔炉。
特斯拉刚刚为Terafab发布了内存制程整合工程师的职位空缺，负责“DRAM及新兴内存技术的单元制程整合”。Terafab是特斯拉与SpaceX围绕半导体展开的合资项目，在技术层面获得英特尔（Intel）的大力支持，目标最终实现每年1,000吉瓦（即1太瓦）的AI算力。
当然，Terafab项目目前仍处于起步阶段，已计划为德克萨斯州格兰姆斯县（Grimes County， Texas）的一座半导体园区投入168亿美元，未来将扩展至1亿平方英尺的规模。
Terafab的核心目标在于攻克过去数十年来半导体制造碎片化的顽疾，将掩模制造与光刻、先进小芯片封装以及测试在内的所有分散流程归入同一屋檐下，从而将芯片设计周期从目前的6至9个月缩短至数周。
这就引出了今日话题的核心。特斯拉现在为Terafab发布了内存制程整合工程师的职位空缺，其职责包括：
负责从电容设计到全流程执行再到大规模量产就绪的DRAM单元结构的端到端制程整合。
定义先进DRAM节点（亚20纳米半间距）的整合方案。
开发针对电容密度、漏电控制和刷新特性优化的内存单元整合流程。
与制程团队（刻蚀、沉积、注入、CMP）合作，定义STI、字线形成、存储节点接触、电容介质和单元板结构等内存专属模块的制程窗口。
与内存电路设计团队协作，验证读出放大器裕度、刷新时序和设备频率目标。
随着Terafab扩展内存路线图，推动新兴内存技术（MRAM、RRAM或3D DRAM）的整合开发。
这一职位空缺表明，Terafab项目正在认真应对持续的内存供应短缺问题，这对三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）的寡头垄断格局构成了严重威胁。
