三星（Samsung）在闪存峰会2026（Flash Memory Summit 2026）上推出了全新的内存与存储技术，包括V10 BV-NAND、zHBM以及zNAND-O。
新一代AI加速器：借助三星的zHBM技术，实现垂直HBM堆栈的直接集成
随着AI与算力需求的持续增长，当前的一系列技术已开始显露其局限，这迫使制造商投入变革性的概念研究，这些概念将在未来的AI基础设施中扮演根本性角色。
三星在闪存峰会2026上展示了两项正处于概念阶段的全新技术，但一旦从概念落地到真实芯片并付诸实践，它们将在未来成为极具分量的发展亮点，尤其是在AI加速器领域。
本次展示的核心技术是zHBM内存解决方案。据三星介绍，zHBM在现有HBM设计的基础上，将内存直接堆叠在AI加速器正上方。目前HBM通常布置在AI加速器主计算芯片的旁侧，而将内存置于AI加速器之上，将有效节省空间，并在数据传输速度方面带来更大的增益。
zHBM预计将提供更高的带宽和更优的能效。据三星称，zHBM相比传统HBM5方案可实现8倍性能跃升，内存密度提升10倍以上，能效提升3倍，同时将热阻降低超过一半。
三星选择不透露这项技术的具体细节，因为它仍处于早期概念阶段，但三星表示，zHBM将在客户定制化设计方面提供灵活性。三星目前正与客户合作，进一步优化zHBM在下一代AI加速器上的集成。
zNAND-O让存储超越常规
第二项全新发布的技术名为zNAND-O，这是一款基于三星V-NAND技术构建的高性能下一代NAND解决方案。
该技术将提供4层和8层两种配置，并兼具高空间效率、更优的I/O性能以及低延迟特性。zNAND-O专为边缘AI应用而设计，不过目前尚不清楚这是否是预计在2030年左右准备就绪的多层堆叠V-NAND技术。
NAND突破400层大关
最后是三星的下一代NAND解决方案——V10 BV-NAND。这将是三星首款采用混合键合（Hybrid Bonding）的V-NAND架构，并推动NAND层数突破400层。
据称，借助BV-NAND技术，三星的V10存储设计将提供更高的性能和能效，同时大幅提升存储密度。该技术的原理十分直接：利用混合键合将存储单元堆叠在一起，而不是在单个单元中制造更高密度的层。相比V9 NAND，存储密度提升58%，同时读写和I/O性能也相较前代有所改善。
需要指出的是，三星已着手规划采用混合键合方式的1000层以上NAND架构，而BV-NAND已正式开启这一趋势。未来几年，三星的SSD和存储产品线的容量将快速增长，其内存解决方案也将凭借zHBM、HBM4E、HBM5、GDDR7等技术，以快速且创新的步伐持续演进。
