过去几天，中国通过三连击重挫了西方关于AI壁垒的论点：月之暗面发布了极具竞争力的Kimi K3AI模型，长鑫存储（CXMT）在公开市场首日飙升近500%，以及一家神秘中国公司正计划量产深紫外（DUV）光刻机。
如今，我们刚刚获取了一些关于中国第三击的有趣细节，该行动与其协调推进的DUV计划相关，据报道，主导者正是上海电气（Shanghai Electric）的子公司上海艾斯格纳（Shanghai Aishegna）。
中国DUV推进计划据称由上海电气的一家子公司和上海微电子装备集团（SMEE）的关联企业上海艾斯格纳牵头。我们本周早些时候报道过，一家神秘的中国公司现已进入DUV光刻业务，计划今年生产5台DUV光刻机，明年再生产20台。虽然最初报道指出上海御量升科技有限公司（Shanghai Yuliangsheng Technology）是中国最新DUV推进的核心力量，但这些消息仍牢牢停留在推测范畴。
然而，现在一则新消息彻底揭开了这家神秘公司的面纱，指向上海艾斯格纳——上海电气的子公司，同时也是上海微电子装备集团的关联企业。显然，艾美斯科技（AIMES Technology）——从SMEE拆分出来的公司——现在负责DUV光刻所需的后端设备，而SMEE负责氟化氪（KrF，248nm）和i线（200nm至400nm）激光器。而上海艾斯格纳则负责DUV浸没式光刻工艺，该工艺利用超纯水更高的折射率来提高系统的数值孔径（NA），从而提升光学分辨率，使机器能够在硅晶圆上蚀刻出更小、更密集的晶体管。
中国在光刻领域的多管齐下策略
当然，正如我们最近指出的，考虑到这些本土DUV设备达到量产需要漫长的时间线，上海艾斯格纳在短期内不太可能对ASML构成威胁。
因此，北京自然会分散下注以减少风险。根据今天发布的一份新报告，华为（Huawei）计划最快在2027年量产芯片用玻璃基板。为此，其合作伙伴已经在为玻璃通孔（TGV）和核心玻璃中介层技术准备生产线。
玻璃基板相比其硅基或有机基板具有显著优势。毕竟，它们提供更优异的耐热性和抗翘曲性，同时降低整体基板厚度，为大规模AI GPU和多层堆叠实现更高的互连密度。这正是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）目前正与Solbrain合作开发玻璃基板的原因。
但更重要的是，从中国的角度来看，玻璃基板有助于在不依赖受限制的EUV光刻机的情况下，提升处理器密度和热极限。
然而，这还不是全部。中国显然已经拥有了一台极紫外（EUV）光刻机原型机，实际芯片生产目前计划于2028年进行，这完成了中国正在近乎同步推进的多管齐下赌注中的第三环。
