商品DRAM市场预计将在2027年面临严重供应短缺，据宇瞻科技（Apacer）首席执行官预测，供应量可能暴跌高达70%。这一观点与SK海力士（SK hynix）高层的近期判断相呼应。
宇瞻科技首席执行官陈益世（C.K. Chang）预期，到2027年，商品DRAM的供应将大幅下滑，这与SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）的表态一致。后者认为，“从供应角度看，明年将是该行业历史上最糟糕的一年”。
据陈益世称，内存制造商2027年的出货量可能仅为2026年水平的30%，这将导致同比供应量锐减70%。值得注意的是，根据《商业时报》（Business Times）最近的一份报道，与内存相关的晶圆供应在2027-2028年预计将以约12%的年增长率增加，但其中约一半的产能将被HBM（高带宽内存）所消耗。
因此，三星（Samsung）计划在2026年出货约120亿GB的HBM，并在2027年将这一数字提升至200亿GB。与此同时，SK海力士将在2026年供应180亿GB的HBM，在2027年供应240亿GB。
其结果是，非HBM的DRAM位元增长在2027-2028年将被限制在每年15%，而同期预计需求将增长22%。从产能增长来看，三星的P5 Fab 1工厂将于2027年7月投产，而P5 Fab 2以及位于龙仁（Yongin）的另一设施将在2029年开始生产。对于SK海力士，其龙仁Y1工厂将于2027年2月投产，Y2工厂则将在2028年下半年投产。
此外，SK海力士在近期的财报电话会议上指出：“我们预计，整体内存需求将持续扩大，这不仅包括用于AI和计算的HBM，也涵盖用于支持智能体AI的服务器DRAM，以及为适应AI服务扩展和数据增长所需的高性能、高容量NAND闪存。”
对于消费电子行业来说，唯一的喘息之机或许来自长鑫存储（CXMT）的3D DRAM技术商业化。该技术通过垂直堆叠存储单元来增加容量，而非依赖EUV光刻机不断缩小芯片的水平特征尺寸。这种方法无需缩小水平节点即可最大化原始位元密度和存储容量。
