芯动科技（Innosilicon）证实，一家韩国主要DRAM制造商将采用其LPDDR6内存IP，该公司借此展示了其全系列内存与存储解决方案。芯动科技旨在通过完全国产化的DRAM/存储IP打破内存墙，其LPDDR6 IP落地韩国。
今年早些时候，芯动科技宣布其LPDDR6/5X内存控制器IP已交付给首批客户。今天，在上海举行的一次会议上，该公司宣布，其中一家客户是一家总部位于韩国的主要DRAM制造商。
在活动中，芯动科技展示了其广泛的内存和存储控制器IP产品组合，其中包括下一代技术，如HBM4（High Bandwidth Memory 4）、GDDR7（Graphics Double Data Rate 7）、LPDDR6、DDR5 MRDIMM（Multi-Ranked Dual Inline Memory Module）、PCIe 6.0和224G SerDes。
为解决内存墙计算瓶颈，芯动科技开发了一个全类别高带宽内存IP矩阵，全面覆盖LPDDR6/5X、GDDR7、HBM4/3E和MRDDR5等主流高端存储接口方案。其中，自主研发的LPDDR6内存IP可实现高达14.4 Gbps的最高运行速度。
通过端到端的时序优化和迭代式信号完整性仿真，有效降低了传输抖动和信号损耗，同时显著提升了单卡内存读写带宽和运行稳定性。这种方法精准地满足了大模型长上下文场景中高频KV Cache读写操作的需求，克服了单卡令牌推理效率的根本瓶颈，为最大化单节点AI计算性能奠定了坚实的内存基础。
这些技术旨在满足AI和高性能计算（HPC）领域日益增长的内存和带宽需求。芯动科技与关键合作伙伴一道，在很大程度上依赖中国的国内供应链，这使得这些IP的快速部署成为可能。例如，14.4 Gbps的LPDDR6 IP完全使用国内可用的工具集生产。
LPDDR6特定特性：
I/O速度高达14.4Gbps
支持ECS（自动/手动）和链路ECC
系统元功能模式
双/每/全存储体刷新（单次/突发）
支持带掩码写入的读取-修改-写入
动态写入NT-ODT
DVFSL模式
x24/x48突发模式
正常模式与动态/静态效率模式
会议期间，三星（Samsung）、台积电（TSMC）、中芯国际（SMIC）以及行业供应链中的30多家领先企业出席了会议。芯动科技确认，其LPDDR6 IP正被一家韩国主要存储和DRAM生产商使用，这可能指向三星，但尚未得到证实。
与此同时，芯动科技透露，其IP和服务可从28nm扩展到3nm解决方案。由于对高数值孔径EUV光刻机的限制，中国目前无法获得5nm以下（如3nm）的节点。有报道称，中国已能制造自己的DUV光刻机，但没有可信的证据。首台DUV光刻机计划于今年推出，明年将实现两位数出货。这仅能为中国带来微小的优势，因为整个海外行业已转向使用EUV光刻技术生产先进芯片。
芯动科技的公告发布之际，正值SK海力士（SK Hynix）等公司计划于2026年下半年量产LPDDR6。有报道称，SK海力士的一个LP6客户位于中国，这表明中国仍依赖海外公司，因为长鑫存储（CXMT）在LPDDR6/DDR6竞赛中仍远远落后。
