美国出口禁令目前限制了长鑫存储（CXMT）获取在主流AI内存领域保持竞争力所需的高带宽存储器（HBM）制造设备。然而，这家中国存储芯片制造商或许在定制化动态随机存取存储器（DRAM）上找到了真正的方向。一份最新报告指出，通过全力投入3D存储器（3D memory）和3D集成电路（3D IC），长鑫存储可以借此开辟自己的道路，并有可能打三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）等韩国巨头一个措手不及。
随着AI硬件的发展重心从图形处理器（GPU）向高速内存迁移，长鑫存储意欲分得巨大利润蛋糕。由于受到现有制造设备的限制，长鑫存储向HBM市场迈进的步伐受阻，但这同时也为中国存储芯片制造商开辟自己的道路提供了重大机遇。
更具体地说，据ZDNet报道，业内正出现一种战略性转向，即通过3D IC和3D DRAM技术来绕过性能和数据的瓶颈，而无需依赖HBM。据报道，无晶圆厂半导体制造商已就这些设计向三星进行过咨询，但这家韩国巨头和SK海力士都行动谨慎，因为他们不想损害当前的摇钱树业务。
此外，三星和SK海力士的大部分利润来自标准DRAM模块的大批量出货。转向一个完全利基和定制化的DRAM市场，这违背了他们的商业模式，同时也引入了这些制造商极力回避的重大风险。尽管据报道这些内存巨头正在对3D DRAM和3D IC进行高级研究，但他们并不会很快进行大规模商业化。这些公司采取的稳妥策略为长鑫存储提供了重大机遇。
然而，我们尚未谈及进军定制化和利基市场所面临的挑战。例如，尽管中国的半导体公司已经开发了多款3D DRAM样品芯片，并正在进行活跃的客户项目，但关于这种架构是否能与HBM在AI推理性能上持平或超越，仍存在不确定性。成本是另一个问题，长鑫存储或许能在三星和SK海力士面前获得优势，但这个市场本身值得投入吗？
目前还没有信息表明，当第一批产品进入量产时，良率能保持在何种水平。这意味着，在将某项技术投入试错的过程中，将会浪费大量资金。同样，成功没有保障，但这绝对好过等待中国公司能够获得HBM设备——而这种情况是不会发生的。
