在内存芯片业务利润丰厚的当下，很难想象英特尔（Intel）会不打算涉足这个炙手可热的领域，尤其是一系列坊间证据表明，这家芯片制造商至少正朝着这个方向思考。
在分析师提及英特尔的“零角度内存”（Z-Angle Memory，ZAM）计划时，英特尔援引其聘请了SK海力士（SK hynix）前CEO一事作为回应。
从英特尔刚结束的财报电话会议中，可以提炼出两大要点：一是其14A制程节点的风险生产将于2027年启动；二是这家芯片制造商有信心在明年“大幅”提高资本支出（CapEx），暗示其手中握有确凿的订单。我们认为，电话会议中最具分量的部分，其实是关于一个与英特尔内存计划相关的问题。
请注意，英特尔已在开发“零角度内存”（ZAM），这是一种3D堆叠式DRAM，用对角互连取代了垂直的硅通孔（TSV），从而形成一个能更好散热的中央散热柱。它还采用了铜对铜混合键合技术，并摒弃了电容器，以实现更高的密度。
当然，英特尔的目标是在2029年才将这项技术投入商用。即便如此，这家芯片制造商对上述内存相关问题的回应仍有些耐人寻味。他们表示：“英特尔在内存领域有着悠久的历史。最近，我们聘请了李寿基（Shou-Chi Lee）加入我们，他曾是SK海力士的CEO。”
提及SK海力士的前CEO，这一点非同小可，尤其是在有关英特尔与SK海力士可能会就其耗资280亿美元的“俄亥俄一号（Ohio One）”晶圆厂成立合资公司的传言甚嚣尘上之际。此举不仅能让英特尔将部分相关成本转嫁给SK海力士，还能巩固其将逻辑芯片与内存相结合的新兴努力。
显然，水面之下正在酝酿着一些事情，而SK海力士的前CEO显然在其中扮演着角色。否则，英特尔也不至于在讨论其内存计划时，如此特意地单独提及此人。
